公开(公告)号：CN109478529A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043746.2

申请日：2017-06-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  怡利·Y·叶 ,  华钟强

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/6833 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/513

摘要： 描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接到电极；和介电层，所述位于基板之上，以将电极与工件隔离。

公开(公告)号：CN109518144A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811095643.3

申请日：2018-09-19

申请人： 应用材料公司

发明人： 维亚斯拉夫·巴巴扬 ,  华钟强 ,  吴梦露 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  巴尔加夫·西特拉

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01J37/3467 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

摘要： 本文呈现的实施方式涉及用于在半导体处理系统中处理基板的方法和设备。所述方法开始于将耦接在脉冲RF偏压发生器与HiPIMS发生器之间的脉冲同步控制器初始化。通过脉冲同步控制器将第一时序信号发送至脉冲RF偏压发生器和HiPIMS发生器。基于第一时序信号向溅射靶和设置在基板支撑件中的RF电极供电。基于时序信号的结束而使所述靶和电极断电。通过脉冲同步控制器发送第二时序信号至脉冲RF偏压发生器，响应于第二时序信号，在不向靶供电的情况下，电极被供电和断电。