公开(公告)号：CN115390376A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210877638.8

申请日：2017-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 凯尔·M·汉森 ,  格雷戈里·J·威尔逊 ,  维亚斯拉夫·巴巴扬

IPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

摘要： 本文描述的实施方式涉及用于进行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和设备。本文描述的设备的实施方式包括界定处理容积的腔室主体。电极可被设置为与处理容积相邻，并且经由多个流体导管而将处理流体提供到处理容积以促进浸没场引导的曝光后烘烤工艺。亦提供了用于冲洗基板、使基板显影和使基板干燥的后处理腔室。

公开(公告)号：CN109416517B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201780040961.7

申请日：2017-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 凯尔·M·汉森 ,  格雷戈里·J·威尔逊 ,  维亚斯拉夫·巴巴扬

IPC分类号： G03F7/38

摘要： 本文描述的实施方式涉及用于进行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和设备。本文描述的设备的实施方式包括界定处理容积的腔室主体。电极可被设置为与处理容积相邻，并且经由多个流体导管而将处理流体提供到处理容积以促进浸没场引导的曝光后烘烤工艺。亦提供了用于冲洗基板、使基板显影和使基板干燥的后处理腔室。

公开(公告)号：CN109518144A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811095643.3

申请日：2018-09-19

申请人： 应用材料公司

发明人： 维亚斯拉夫·巴巴扬 ,  华钟强 ,  吴梦露 ,  阿道夫·米勒·艾伦 ,  巴尔加夫·西特拉

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01J37/3467 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

摘要： 本文呈现的实施方式涉及用于在半导体处理系统中处理基板的方法和设备。所述方法开始于将耦接在脉冲RF偏压发生器与HiPIMS发生器之间的脉冲同步控制器初始化。通过脉冲同步控制器将第一时序信号发送至脉冲RF偏压发生器和HiPIMS发生器。基于第一时序信号向溅射靶和设置在基板支撑件中的RF电极供电。基于时序信号的结束而使所述靶和电极断电。通过脉冲同步控制器发送第二时序信号至脉冲RF偏压发生器，响应于第二时序信号，在不向靶供电的情况下，电极被供电和断电。

公开(公告)号：CN109416517A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040961.7

申请日：2017-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 凯尔·M·汉森 ,  格雷戈里·J·威尔逊 ,  维亚斯拉夫·巴巴扬

IPC分类号： G03F7/38

摘要： 本文描述的实施方式涉及用于进行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和设备。本文描述的设备的实施方式包括界定处理容积的腔室主体。电极可被设置为与处理容积相邻，并且经由多个流体导管而将处理流体提供到处理容积以促进浸没场引导的曝光后烘烤工艺。亦提供了用于冲洗基板、使基板显影和使基板干燥的后处理腔室。