在激光处理系统中的颗粒控制

    公开(公告)号:CN103797565B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201280045273.7

    申请日:2012-09-14

    IPC分类号: H01L21/268 H01L21/324

    摘要: 本发明大体涉及激光处理系统,该激光处理系统用于对基板进行热处理。激光处理系统包含屏蔽,该屏蔽设置在基板和激光处理系统的能量源之间,该基板将进行热处理。屏蔽包含光透明的窗口,该光透明的窗口被设置为与屏蔽内的腔体相邻。光透明的窗口允许退火能量穿过该光透明的窗口并照射基板。屏蔽还包含一个或更多个气体入口和一个或更多个气体出口,这些气体入口和这些气体出口用于从屏蔽内的腔体引入净化气体和移除净化气体。净化气体被利用以在进行热处理期间移除挥发的成分或剥蚀的成分,且净化气体被利用以提供预定组成的气体(比如不含氧)至热处理区域。

    结晶化的方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103765564B

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201280041674.5

    申请日:2012-08-31

    IPC分类号: H01L21/324

    摘要: 说明了用于处理具有非晶半导体层或具有小晶体的半导体层的基板以于基板中形成大晶体的设备与方法。识别基板的处理区,并利用对处理区传送脉冲能量的逐步熔化工艺来熔化处理区。接着利用对该区域传送脉冲能量的逐步结晶化工艺来使该处理区重新结晶化。在逐步结晶化工艺中所传送的脉冲能量被选择以随着熔化材料凝固而使小晶体转变为大晶体。

    在激光处理系统中的颗粒控制

    公开(公告)号:CN103797565A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201280045273.7

    申请日:2012-09-14

    IPC分类号: H01L21/268 H01L21/324

    摘要: 本发明大体涉及激光处理系统,该激光处理系统用于对基板进行热处理。激光处理系统包含屏蔽,该屏蔽设置在基板和激光处理系统的能量源之间,该基板将进行热处理。屏蔽包含光透明的窗口,该光透明的窗口被设置为与屏蔽内的腔体相邻。光透明的窗口允许退火能量穿过该光透明的窗口并照射基板。屏蔽还包含一个或更多个气体入口和一个或更多个气体出口,这些气体入口和这些气体出口用于从屏蔽内的腔体引入净化气体和移除净化气体。净化气体被利用以在进行热处理期间移除挥发的成分或剥蚀的成分,且净化气体被利用以提供预定组成的气体(比如不含氧)至热处理区域。