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公开(公告)号：CN109321890A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811141495.4
申请日：2016-07-01
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN106489193A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580038105.9
申请日：2015-07-17
申请人： 应用材料公司
发明人： 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉 , 苏 , 希兰库玛·萨万戴亚 , 振雄·蔡 , 凯亮·刘
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/56 , H01L21/324
摘要： 本文揭示用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含：基板支撑件，基板支撑件具有基板支撑表面，基板支撑表面包含电绝缘涂层；基板升降机构，基板升降机构包含多个升降销，所述多个升降销被配置为在第一位置与第二位置之间移动，第一位置设置于基板支撑表面下方，第二位置设置于基板支撑表面上方；及连接件，连接件被配置为在所述多个升降销抵达基板支撑表面的平面之前选择性地提供基板支撑件与基板升降机构之间的电气连接。
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公开(公告)号：CN108028184B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201680052197.0
申请日：2016-09-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形传热沟道；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。
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公开(公告)号：CN106489193B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201580038105.9
申请日：2015-07-17
申请人： 应用材料公司
发明人： 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏 , 希兰库玛·萨万戴亚 , 振雄·蔡 , 凯亮·刘
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/56 , H01L21/324
摘要： 本文揭示用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含：基板支撑件，基板支撑件具有基板支撑表面，基板支撑表面包含电绝缘涂层；基板升降机构，基板升降机构包含多个升降销，所述多个升降销被配置为在第一位置与第二位置之间移动，第一位置设置于基板支撑表面下方，第二位置设置于基板支撑表面上方；及连接件，连接件被配置为在所述多个升降销抵达基板支撑表面的平面之前选择性地提供基板支撑件与基板升降机构之间的电气连接。
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公开(公告)号：CN110036136A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075172.7
申请日：2017-11-16
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文中提供了工艺配件及并入所述工艺配件的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种工艺配件包括：配接器，具有配接器主体及在所述配接器主体的径向内侧的屏蔽部；传热通道，形成于所述配接器主体中；遮蔽环，耦接到所述配接器，使得所述配接器的所述屏蔽部延伸于所述遮蔽环的一部分之上；及陶瓷绝缘体，设置在所述遮蔽环与所述配接器之间以将所述遮蔽环与所述配接器电隔离。
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公开(公告)号：CN107109629A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580067397.9
申请日：2015-10-22
申请人： 应用材料公司
发明人： 魏俊琪 , 曹志涛 , 欧岳生 , 阿南塔克里希纳·朱普迪 , 希兰库玛·萨万戴亚 , 王欣 , 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏
摘要： 本公开内容的实施方式包括用于控制钛‑钨(TiW)靶材小结形成的方法和设备。在一些实施方式中，靶材包括：源材料，所述源材料主要地包括钛(Ti)和钨(W)，所述源材料由钛粉末和钨粉末的混合物形成，其中主要数量的钛粉末的晶粒尺寸小于或等于主要数量的钨粉末的晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN106133874A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015754.7
申请日：2015-03-17
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本文提供一种用以快速冷却基板的方法与装置。在一些实施方式中，冷却腔室包含：腔室本体，具有内部空间；基板支撑件，设置在空间中并具有基板支撑表面；板，相对基板支撑件而设置在腔室本体中且可相对基板支撑件在第一位置和第二位置间移动，其中第一位置将基板支撑件及板设置成彼此远离，以将支撑表面曝露至第一空间，且第二位置将基板支撑件及板设置成彼此邻近，以将支撑表面曝露至第二空间，第二空间小于第一空间；多个流动通道，设置在板或基板支撑件中的一或多个中，以使冷却剂流动；及气体入口，用以提供气体进入第二空间。
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公开(公告)号：CN117867462A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311689865.9
申请日：2016-07-01
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
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