公开(公告)号：CN102177769A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980140428.3

申请日：2009-10-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 约翰·M·怀特 ,  崔寿永 ,  卡尔·A·索赖瑟恩 ,  约瑟夫·库德拉 ,  白宗薰 ,  志坚·杰瑞·陈 ,  史蒂芬·麦克丰森 ,  罗宾·L·迪纳

IPC分类号： H05H1/34 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

摘要： 本发明提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内连接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及射频回流路径，具有连接至该遮蔽框架的第一端及连接至该腔室侧壁的第二端。

公开(公告)号：CN102177769B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN200980140428.3

申请日：2009-10-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 约翰·M·怀特 ,  崔寿永 ,  卡尔·A·索赖瑟恩 ,  约瑟夫·库德拉 ,  白宗薰 ,  志坚·杰瑞·陈 ,  史蒂芬·麦克丰森 ,  罗宾·L·迪纳

IPC分类号： H05H1/34 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

摘要： 本发明提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内耦接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及射频回流路径，具有耦接至该遮蔽框架的第一端及耦接至该腔室侧壁的第二端。