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公开(公告)号：CN112585297A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980051491.3
申请日：2019-08-01
申请人： 应用材料公司
摘要： 此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环绕该靶的上部分及环绕该基板支撑件的下部分，该上部分具有大于该靶的外直径的内直径以限定该处理屏蔽件及该靶之间的间隙；及气体入口，该气体入口经由该间隙或跨该间隙的前开口提供气体至该内部空间，以在使用期间实质防止来自该内部空间的颗粒进入该间隙。
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公开(公告)号：CN112020572A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980019611.1
申请日：2019-03-20
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧化物层沉积到具有期望电阻区的第一基板上；以及随后在源材料处于第二磨蚀状态时并且在将第二量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第二基板上，其中第二量的RF功率低于第一量的RF功率达经计算以维持期望电阻区的预定量。
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公开(公告)号：CN112020572B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201980019611.1
申请日：2019-03-20
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧化物层沉积到具有期望电阻区的第一基板上；以及随后在源材料处于第二磨蚀状态时并且在将第二量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第二基板上，其中第二量的RF功率低于第一量的RF功率达经计算以维持期望电阻区的预定量。
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公开(公告)号：CN114981479A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009899.1
申请日：2021-04-08
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L45/00 , H01L27/24
摘要： 本文提供了用于钝化靶材的方法和设备。例如，一种方法包含：a)将氧化气体供应到处理腔室的内部空间中；b)点燃氧化气体以形成等离子体并氧化靶材或靶材材料中的至少一者，所述靶材材料沉积在设置于处理腔室的内部空间中的处理配件上；和c)执行循环净化，包括：c1)向处理腔室中提供空气以与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应；c2)在处理腔室内维持预定压力达预定时间，以产生由空气与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应而引起的有毒副产物；和c3)排空处理腔室以去除有毒副产物。
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公开(公告)号：CN112585297B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980051491.3
申请日：2019-08-01
申请人： 应用材料公司
摘要： 此处提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包含：腔室主体，该腔室主体具有内部空间；基板支撑件，该基板支撑件设置于该内部空间中；靶，该靶设置于该内部空间内且相对于该基板支撑件；处理屏蔽件，该处理屏蔽件设置于该内部空间中且具有环绕该靶的上部分及环绕该基板支撑件的下部分，该上部分具有大于该靶的外直径的内直径以限定该处理屏蔽件及该靶之间的间隙；及气体入口，该气体入口经由该间隙或跨该间隙的前开口提供气体至该内部空间，以在使用期间实质防止来自该内部空间的颗粒进入该间隙。
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