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公开(公告)号：CN114981934A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080092524.1
申请日：2020-10-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C14/56 , C23C14/16 , H01L21/3213
摘要： 描述一种形成用于半导体装置的互连结构的方法。方法包含通过物理气相沉积在基板上沉积蚀刻终止层，随后在蚀刻终止层上原位沉积金属层。原位沉积的步骤包含使等离子体处理气体流动到腔室中，和将等离子体处理气体激发成等离子体以在基板上的蚀刻终止层上沉积金属层。基板在沉积工艺期间持续在真空下，且不暴露至周围空气。
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公开(公告)号：CN110036137B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201780075210.9
申请日：2017-11-21
申请人： 应用材料公司
摘要： 此处提供用于处理腔室的处理配件和用于处理基板的方法的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件，包括：非导电上部屏蔽件，具有配置成环绕溅射靶材的上部分和从上部分向下延伸的下部分；和导电下部屏蔽件，由非导电上部屏蔽件径向向外设置，且具有圆柱形主体、下壁和唇部，圆柱形主体具有上部分和下部分，下壁从下部分径向向内突出，且唇部从下壁向上突起。圆柱形主体由第一间隙与非导电上部屏蔽件隔开。下壁由第二间隙与非导电上部屏蔽件的下部分隔开，第二间隙配置成限制介于非导电上部屏蔽件之中的空间与导电下部屏蔽件的圆柱形主体之间的直接视线。
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公开(公告)号：CN106463396B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
摘要： 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
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公开(公告)号：CN108064411A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201680032642.7
申请日：2016-06-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0234 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02266
摘要： 在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一等离子体形成气体包括氢，而不包括碳；(c)向基板支撑件提供第一量的偏压功率以自物理气相沉积工艺腔室的处理区域内的第一等离子体形成气体形成第一等离子体；(d)使介电层暴露于第一等离子体中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。
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公开(公告)号：CN111480223B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201880080996.8
申请日：2018-12-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
摘要： 当基板存在时，具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用，以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止，该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖环的顶表面上的沉积材料而调节基板支撑件，以保持阴影效应和基板边缘均匀性。
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公开(公告)号：CN113614275B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202080023276.5
申请日：2020-03-18
申请人： 应用材料公司
摘要： 通过以下步骤来在工件上形成包括金属氮化物层的结构：在将所述工件安置在包括金属靶的腔室中之前，通过将氮气及惰性气体以第一流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来预调节所述腔室；在所述预调节步骤之后将所述腔室排气；在所述预调节步骤之后将所述工件安置在所述腔室中的工件支撑件上；及通过将氮气及所述惰性气体以第二流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来在所述腔室中的所述工件上执行金属氮化物层的物理气相沉积。所述第二流率比小于所述第一流率比。
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公开(公告)号：CN114945704A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180009414.9
申请日：2021-12-14
申请人： 应用材料公司
发明人： 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 谢恩·拉万 , S·R·V·雷迪 , 兰德尔·迪恩·施米丁 , 曹勇
摘要： 本文提供使用于处理腔室中的处理屏蔽件的实施方式。在一些实施方式中，使用于处理腔室中的处理屏蔽件包括：环状主体，该环状主体具有上部分及下部分，该下部分从该上部分向下且径向向内延伸，其中该上部分在该上部分的上表面上包括多个环状凹槽，且具有设置于该多个环状凹槽之间的多个插槽，以流体地连接该多个环状凹槽，其中一个或多个入口从该环状主体的外表面延伸至该多个环状凹槽的最外凹槽。
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公开(公告)号：CN113490997A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080009819.8
申请日：2020-02-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311
摘要： 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中，一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤：在基板上形成硬掩模层，其中硬掩模层包含含金属材料，所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素；向基板供应蚀刻气体混合物；和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。
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公开(公告)号：CN106463396A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580006488.1
申请日：2015-01-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
摘要： 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
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