公开(公告)号：CN119073024A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202280094706.1

申请日：2022-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 高铭 ,  孙立中 ,  杨晓东

IPC: H10N30/074 ,  H10N30/076 ,  H10N30/50

Abstract: 一种减少压电薄膜层的表面缺陷的方法，包括在基板上沉积第一种晶层，在大约350摄氏度至大约700摄氏度的第一温度下在第一种晶层上沉积中间薄膜层，在该中间薄膜层上沉积第二种晶层，以及在小于200摄氏度的第二温度下沉积压电薄膜层。该压电薄膜层具有每100平方微米压电薄膜层的表面积小于或等于2个的表面锥形缺陷计数。在一些实施方式中，在该第一种晶层、该中间薄膜层、该第二种晶层和该压电薄膜膜层的沉积之间不发生真空破坏。

公开(公告)号：CN114901855A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201980103376.6

申请日：2019-12-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙立中 ,  杨晓东

IPC: C23C14/06 ,  H03H3/02

Abstract: 本文中所公开的实例与在基板上形成薄膜层的装置和方法相关。在第一腔室中在所述基板上沉积第一压电材料层。所述第一压电材料层在所述基板处于第一温度的同时形成于所述基板上。在将所述基板冷却到第二温度之后，在所述第一压电材料层上沉积第二压电材料层。所述第二温度低于所述第一温度。所述第一压电材料层和所述第二压电材料层都包括第一压电材料。

公开(公告)号：CN114901855B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980103376.6

申请日：2019-12-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙立中 ,  杨晓东

IPC: C23C14/06 ,  H03H3/02

Abstract: 本文中所公开的实例与在基板上形成薄膜层的装置和方法相关。在第一腔室中在所述基板上沉积第一压电材料层。所述第一压电材料层在所述基板处于第一温度的同时形成于所述基板上。在将所述基板冷却到第二温度之后，在所述第一压电材料层上沉积第二压电材料层。所述第二温度低于所述第一温度。所述第一压电材料层和所述第二压电材料层都包括第一压电材料。

公开(公告)号：CN116762160A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202080107085.7

申请日：2020-11-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙立中 ,  杨毅 ,  陈建 ,  马冲 ,  杨晓东

IPC: H01L21/683

Abstract: 方法与设备被用来调节基板上的膜应力分布。一种设备可包括具有基座的PVD腔室，该基座被配置为在处理期间在位于基座的最上表面上的盖上支撑基板。该盖构造有多个电极，诸如，例如第一电极、第二电极和第三电极。第二电极位于该第一电极与该第二电极之间，并且与该第一电极和该第二电极电隔离。基板应力分布调谐器电连接至该第一电极、该第二电极和该第三电极，并且被配置为独立地调节至少该第二电极和该第三电极相对于RF接地的RF电压水平，以产生更均匀的膜应力分布。

公开(公告)号：CN114938653A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202080091672.1

申请日：2020-02-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙立中 ,  杨晓东

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 本文中所揭示的是用于微调薄膜的性质的设备及方法。形成压电膜的方法包括：(a)通过第一物理气相沉积(PVD)工艺在基板的表面上沉积第一压电膜层(408(1))。所述方法包括：(b)通过第二PVD工艺沉积第二压电膜层(408(2))，该第二压电膜层(408(2))在第一压电膜层(408(1))顶部并且接触第一压电膜层(408(1))。步骤(c)在形成第一压电膜层(408(1))之后及形成第二压电膜层(408(2))之前，降低基板的温度。通过执行过程达第一时段来降低温度。额外地执行过程(a)、(b)及(c)一或更多次。执行过程(c)达第二时段。第二时段不同于第一时段。

公开(公告)号：CN112955579A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201880099083.0

申请日：2018-11-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙立中 ,  杨晓东 ,  周玉飞 ,  杨毅

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/00

Abstract: 一种腔室包含靶(16)及设置在靶(16)之上的磁控管(50)。磁控管(50)包含多个磁体(52,54)。磁控管(50)具有纵向维度和横向维度。磁控管(50)的纵向维度相对于靶(16)倾斜，使得磁体(52,54)和靶(16)之间的距离变化。当磁控管(50)在操作期间旋转时，磁控管(50)产生的磁场强度是磁体(52,54)产生的各种磁场强度的平均值。磁场强度的平均导致均匀的膜性质和均匀的靶侵蚀。

公开(公告)号：CN113767187A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201980095585.0

申请日：2019-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙立中 ,  杨晓东 ,  马克·科文顿 ,  维韦克·维尼特 ,  维沙尔·阿格拉瓦

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203

Abstract: 一种在基板上溅射沉积含金属层的方法包括：将气体混合物供应到处理腔室(100)中；在基板(101)上形成含金属层的第一部分；从处理腔室传输基板；旋转基板；将基板传输回到处理腔室，并在含金属层的第一部分上形成含金属层的第二部分。还公开一种在基板上溅射沉积含金属层的设备和保存程序的计算机可读储存介质。所述方法形成具有良好均匀性、期望的应力控制和分布和具有期望膜性能的期望的表面形态的含金属层。