公开(公告)号：CN113764570B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202111051173.2

申请日：2021-09-08

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  国网浙江省电力有限公司金华供电公司 ,  国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 ,  浙江清华长三角研究院

发明人： 田一 ,  聂京凯 ,  崔建业 ,  耿进锋 ,  史昌明 ,  龚文 ,  何强

IPC分类号： H10N30/50 ,  H10N30/30 ,  H10N30/07 ,  H10N30/074 ,  H02N2/00 ,  H02N2/18

摘要： 本发明提供一种压电结构及其制备方法，压电结构包括：压电膜层；位于压电膜层一侧表面的种子层；位于种子层背离压电膜层的一侧表面的纳米线阵列层，纳米线阵列层的材料为半导体压电材料。当在外界作用下发生形变时，压电膜层和纳米线阵列层产生压电效应，压电膜层相对设置的两个表面和纳米线阵列层相对设置的两个表面均产生相反的电荷，使位于两者之间的种子层受到电场作用，在上述电场的作用下，种子层实现了压电膜层和纳米线阵列层的串联，压电结构所产生的电能为压电膜层和纳米线阵列层所产生的电能的加和，有效提高了压电材料的压电转换效率。

公开(公告)号：CN117897035A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311695566.6

申请日：2023-12-11

申请人： 上海新硅聚合半导体有限公司

发明人： 欧欣 ,  柯新建 ,  黄凯

IPC分类号： H10N30/00 ,  H10N30/072 ,  H10N30/074 ,  H10N30/80 ,  H10N30/87 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17

摘要： 本申请涉及一种压电异质衬底结构、制备方法及声波器件，该压电异质衬底结构包括功能衬底层和设置在功能衬底层上的压电复合层；压电复合层包括沿远离功能衬底层的方向上依次设置的介质层、界面层和压电薄膜层，界面层存在预设元素分布，其中，预设元素的浓度大于预设阈值，界面层用于对叉指电极所激发的体声波进行散射处理，利用本申请提供的技术方案可以减少对体声波的反射，进而可避免由于体声波的反射而对声表面波进行干扰的情况发生，从而可提高声波器件的性能。

公开(公告)号：CN113747982B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202080031793.7

申请日：2020-02-27

申请人： 艾科索成像公司

发明人： 布莱恩·毕考肖 ,  桑迪普·阿卡拉杰

IPC分类号： H10N30/01 ,  H10N30/074 ,  H10N30/082 ,  H10N30/80 ,  H10N30/30

摘要： 公开了具有改进的封装密度的多极化压电装置，以及用于制造此类具有改进的封装密度的多极化压电装置的方法。所述多极化压电装置包括：a)制造在基板上的顶部电极、压电层和底部电极；b)通过蚀刻所述压电层、所述顶部电极或两者而生成的过孔；以及c)放置在以下一个或多个之上的再分布层(RDL)：所述顶部电极、所述压电层、所述底部电极或一个或多个过孔。

公开(公告)号：CN118511677A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202380016396.6

申请日：2023-01-05

申请人： 索泰克公司

发明人： I·伯特兰 ,  D·贝尔哈切米 ,  迪迪埃·朗德吕 ,  D·吉罗德 ,  O·莫里

IPC分类号： H10N30/01 ,  H10N30/071 ,  H10N30/072 ,  H10N30/073 ,  H10N30/074 ,  H10N30/853

摘要： 本发明涉及一种对基板进行处理的方法，所述方法包括：对第一基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的设备中执行的至少一个步骤，第一基板是由半导体材料或压电材料制成的基板；通过对去污基板特别是硅基板进行热处理来对执行热处理的设备进行去污的步骤；以及随后的对第二基板进行处理的步骤，该步骤包括在执行热处理的设备中执行的至少一个步骤，第一基板是由半导体材料或压电材料制成的基板。

公开(公告)号：CN117833897A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410010357.1

申请日：2024-01-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

发明人： 林博 ,  王贺 ,  黄继景

IPC分类号： H03K17/96 ,  H10N30/30 ,  H10N30/074

摘要： 本申请公开了一种触觉反馈电路以及压电薄膜结构的制作方法，触觉反馈电路包括供电模块、开关模块、压电薄膜和第一放电电阻，开关模块分别连接供电模块、压电薄膜和第一放电电阻，开关模块具有第一工作模式和第二工作模式；开关模块被配置为在第一工作模式下，供电模块与压电薄膜连接形成充电回路以使得供电模块给压电薄膜充电；或，在第二工作模式下，第一放电电阻与供电模块连接形成RC放电回路以使得压电薄膜放电。本触觉反馈电路以及压电薄膜结构的制作方法有效地加快了压电薄膜的放电速度，使得压电薄膜两端的电压迅速下降，用户连续按压时，电压也可以根据用户按压频率及时的产生变化，并使相关部件可以及时根据电压变化产生响应。

公开(公告)号：CN117544125A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311369152.4

申请日：2023-10-20

申请人： 常州承芯半导体有限公司

发明人： 徐流龙 ,  金建 ,  郭勇 ,  刘广纯

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H3/10 ,  H10N30/074

摘要： 一种声表面波谐振装置及声表面波谐振装置的形成方法，声表面波谐振装置包括：压电层；位于压电层上的叉指换能器，所述叉指换能器包括沿平行于压电层表面方向交替放置的多个叉指电极，所述叉指电极包括多个叉指单元，多个叉指单元沿垂直于压电层表面的方向堆叠，所述叉指单元包括：第一金属层、位于第一金属层上的第二金属层以及位于第二金属层上的第三金属层，所述第三金属层的熔点大于第二金属层的熔点，所述第一金属层的熔点大于第二金属层的熔点。所述声表面波谐振装置的性能得到提升。

公开(公告)号：CN117121656A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280022178.9

申请日：2022-03-10

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 中村诚吾 ,  小林宏之

IPC分类号： H10N30/853 ,  H10N30/074

摘要： 本发明提供一种兼备了高耐压和长期可靠性的压电膜、压电元件及压电膜的制造方法。一种压电膜，其以钙钛矿型氧化物作为主成分，在表示由一对电极层夹持并以10kV/cm·sec的第1变化速度从‑40V至+40V扫描施加电压时获得的电压与施加了电压时流过的电流之间的关系的电流‑电压曲线中，具有2个极大值。

公开(公告)号：CN116157998A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180024967.1

申请日：2021-04-16

申请人： 阿库斯蒂斯有限公司

发明人： 克雷格·莫 ,  杰弗里·M·莱西

IPC分类号： H03H3/02 ,  H10N30/85 ,  H10N30/074

摘要： 一种形成压电薄膜的方法，可以包括在Si衬底的第一表面上沉积材料以提供应力中性模板层。可以将包括Ⅲ族元素和氮的压电薄膜溅射到应力中性模板层上，并且可以处理Si衬底的与第一表面相对的第二表面，以移除Si衬底和应力中性模板层，以提供压电薄膜的保留部分。可以在压电薄膜的保留部分上形成压电谐振器。

公开(公告)号：CN118265434A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410376142.1

申请日：2024-03-29

申请人： 苏州大学

发明人： 吕洋旸 ,  谢凌婕 ,  文震 ,  刘伊娜 ,  江顾宇 ,  后佳旬

IPC分类号： H10N30/30 ,  H10N30/50 ,  H10N30/87 ,  H10N30/074

摘要： 本发明提供一种基于应力集中效应的压力传感器及其制备方法，涉及传感器技术领域。压力传感器包括由上至下依次布置的第一电极层、摩擦层、第二电极层和应力集中层，摩擦层包括摩擦部，摩擦部与第一电极层之间间隔预设距离，应力集中层包括多个第一锥形微结构，第一锥形微结构设置成其尖端远离第二电极层，且应力集中层的杨氏模量为第一预设值，第一预设值为范围在700‑1300kPa中任一值，以制备具有不同杨氏模量应力集中层的压力传感器，从而提高压力传感器的灵敏度以及增大压力传感器的检测范围。

公开(公告)号：CN118042911A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211384698.2

申请日：2022-11-07

申请人： 香港理工大学

发明人： 陈韦 ,  贝安 ,  李子琪

IPC分类号： H10N30/30 ,  H10K30/10 ,  H10K71/10 ,  H10N30/50 ,  H10N30/857 ,  H10N30/074 ,  H10N30/03 ,  H02S10/10 ,  H02N2/18

摘要： 本发明提供压电‑光伏集成装置、制备方法及应用。压电‑光伏集成装置包括压电组件和光伏组件，压电组件包括第一压电电极、压电活性层和第二压电电极；光伏组件包括第一光伏电极、光伏活性层、空穴传输层和第二光伏电极；由外层向内层方向，第二光伏电极、空穴传输层、光伏活性层、第一光伏电极、第二压电电极、压电活性层、第一压电电极依次包覆设置。本申请将压电组件和光伏组件集成，解决了现有技术中，光伏转化器件和压电转换器件，存在间歇式供电缺陷，应用场景受限的问题。本申请光伏活性层采用二维/三维锡基钙钛矿材料，光伏转化效率高、性质稳定、危害小。本申请可以广泛应用于织物、可穿戴设备、移动式设备、传感器。