公开(公告)号：CN114514337A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201980100764.9

申请日：2019-09-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏海尔·安瓦尔 ,  古田学 ,  兰吉特·英德拉吉特·辛德

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开内容的方面涉及用于基板处理的支撑支架设备和方法，诸如等离子体处理腔室。在一个实施方式中，一种基板处理腔室包括腔室主体。所述腔室主体包括一个或多个侧壁，并且所述一个或多个侧壁中的每一者包括内表面。所述基板处理腔室还包括：基座，所述基座具有支撑表面；处理空间，所述处理空间在所述基座上方；以及下部空间，所述下部空间在所述基座下方。所述基板处理腔室还包括支架，所述支架安装到所述一个或多个侧壁中的侧壁的所述内表面。所述支架包括第一端、第二端和在所述第一端与所述第二端之间的纵向长度。所述支架还包括在所述支架中形成在所述第一端与所述第二端之间的气体开口。所述气体开口允许气体流过所述气体开口。

公开(公告)号：CN118451529A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280085940.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 征·约翰·叶 ,  周建华 ,  邵寿潜 ,  苏海尔·安瓦尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开内容涉及一种用于分配等离子体的喷头。所述喷头包括穿孔瓦，所述穿孔瓦耦接到支撑结构。介电窗设置在所述穿孔瓦上方。电极耦接到所述介电窗。感应耦合器设置在所述介电窗上方。所述感应耦合器的至少一部分相对于所述电极的至少一部分成角度。

公开(公告)号：CN303288190S

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201430490201.5

申请日：2014-12-01

Applicant: 应用材料公司

Designer： 古田学 ,  约翰·M·怀特 ,  罗宾·L·蒂纳 ,  苏海尔·安瓦尔 ,  崔寿永 ,  栗田真一

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：带有加热器的基座。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于支承一电子设备构成用腔室内的基片。3．本外观设计产品的设计要点：在于带有加热器的基座的形状造型。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。5．省略视图：右视图与左视图呈中心对称，省略右视图。仰视图与俯视图呈中心对称，省略仰视图。