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公开(公告)号：CN119998921A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070755.6
申请日：2023-10-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本公开内容的实施例总体涉及用于在基板处理期间测量和控制等离子体处理腔室中的基板支撑件处的局部阻抗的方法和设备。基板支撑件包括多个基板支撑销，其中测量多个基板支撑销中的每个基板支撑销的射频电压、电流和相位，并且实时调整支撑销的阻抗。基板支撑销中的每个基板支撑销耦接至可远程控制的相关联的可调整阻抗电路。在一个实施例中，可变电容器用于调整耦接至相关联的基板支撑销的阻抗电路的阻抗，并且可以用步进马达远程调整。在另一实施例中，微控制器可以控制多个基板支撑销中的所有基板支撑销的阻抗调整，并且可以用于这些阻抗彼此跟踪以及用等离子体处理腔室的本体阻抗跟踪这些阻抗。
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公开(公告)号：CN119998920A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070601.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容涉及一种天线阵列。天线阵列包括多个电介质窗、主框架与多个副框架，多个电介质窗耦合到包括多个气体端口的支撑结构、主框架包括连接到电源的主导管，多个副框架由主框架支撑。副框架包括连接到主导管的副导管。多个感应耦合器，多个感应耦合器设置在多个电介质窗上方并由副框架支撑。多个电感耦合器，多个电感耦合器包括多个天线连接器和多个天线。多个天线连接器将多个天线连接到副导管。
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公开(公告)号：CN106449503B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201610625498.X
申请日：2016-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , 周建华 , Z·J·叶 , 陈建 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , C23C16/44 , C23C16/513 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。
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公开(公告)号：CN114503238A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201980099804.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文描述的实施方式涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络。所述匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电极上的多个连接点中的一个连接点。基于调谐参数信息和物理几何信息，控制器确定所述多个匹配网络的调谐顺序。如此，所述匹配网络中的一些匹配网络被调谐，而其他匹配网络被锁定。使用多个匹配网络使处理腔室的处理空间内产生更均匀的等离子体。改善的等离子体均匀性使基板缺陷更少且器件性能更好。此外，在这些实施方式中，用于以一种顺序调谐所述匹配网络中的每一个匹配网络的能力减少或防止在所述匹配网络之间发生干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113166936A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880100005.8
申请日：2018-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/448
Abstract: 一种安瓿，所述安瓿具有容器、入口端口、出口端口、防溅件和扩散器。所述扩散器设置在所述容器的空腔内并且包括进料管和喷射器。所述进料管耦接至所述入口端口，并且所述喷射器耦接至所述进料管。所述喷射器具有闭环形状并且包括多个孔。所述多个孔中的每一个孔的中心线定向在所述喷射器的水平线处或下方，以引导流体离开所述容器的盖。所述防溅件耦接至所述安瓿的输出端口。
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公开(公告)号：CN107230655B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710515830.1
申请日：2016-02-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , X·林
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了用于等离子体处理的双区式加热器。提供了一种用于基座的方法和装置。在一个实施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸缘的主体；嵌入在主体中的一或多个加热元件；耦接到凸缘的第一轴；以及耦接到第一轴的第二轴；其中第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止。
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公开(公告)号：CN105225998B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201510358900.8
申请日：2015-06-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿卜杜·A·哈贾 , 段仁官 , A·库马尔 , 周建华 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本文描述的实施方式保护基板支撑件免受在高温下使用的腐蚀性清洁气体的腐蚀。在一个实施方式中，基板支撑件具有心轴和加热器。所述加热器具有主体。所述主体具有顶表面、侧面和底表面。所述顶表面是配置用于在基板的等离子体处理期间支持基板。提供遮罩以用于所述顶表面、侧面和底表面中的至少两者。所述遮罩是被选择用于抵抗在超过约400摄氏度的温度下对所述主体的腐蚀。
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公开(公告)号：CN109716497A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号：CN105849866B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201480070552.8
申请日：2014-12-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 周建华 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本发明实施例总体上涉及一种半导体处理腔室，并且更具体地涉及一种用于半导体处理腔室的受热支撑基座。在一个实施例中，所述基座包括基板支撑件、加热元件和第一中空轴，所述基板支撑件包含用于容纳基板的支撑表面，所述加热元件被封装在所述基板支撑件内，所述第一中空轴具有第一端与第二端，其中所述第一端固定到所述基板支撑件。所述基板支撑件与所述第一中空轴由陶瓷材料制成，并且所述第一中空轴具有约50mm与100mm之间的长度。所述基座进一步包括耦接至所述第一中空轴的第二端的第二中空轴。所述第二中空轴具有大于所述第一中空轴的长度的长度。
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