公开(公告)号：CN117321242A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035695.X

申请日：2022-04-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵泽琼 ,  A·邱 ,  S-J·金 ,  A·辛格豪尔 ,  蒋志钧 ,  D·帕德希 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: C23C16/24

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和惰性气体输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和惰性气体一起提供含氢前驱物。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。在沉积方法期间可以保持处理区域没有氦输送。

公开(公告)号：CN119998921A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202380070755.6

申请日：2023-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 征·约翰·叶 ,  安德鲁·C·林 ,  赵泽琼 ,  周建华 ,  安翔 ,  苏希尔·安瓦尔 ,  正伟中岛 ,  张辅廷

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/505

Abstract: 本公开内容的实施例总体涉及用于在基板处理期间测量和控制等离子体处理腔室中的基板支撑件处的局部阻抗的方法和设备。基板支撑件包括多个基板支撑销，其中测量多个基板支撑销中的每个基板支撑销的射频电压、电流和相位，并且实时调整支撑销的阻抗。基板支撑销中的每个基板支撑销耦接至可远程控制的相关联的可调整阻抗电路。在一个实施例中，可变电容器用于调整耦接至相关联的基板支撑销的阻抗电路的阻抗，并且可以用步进马达远程调整。在另一实施例中，微控制器可以控制多个基板支撑销中的所有基板支撑销的阻抗调整，并且可以用于这些阻抗彼此跟踪以及用等离子体处理腔室的本体阻抗跟踪这些阻抗。