公开(公告)号：CN103429786A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201180069001.6

申请日：2011-03-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·班格特 ,  沃纳·古尔 ,  斯蒂芬·凯勒 ,  迈克尔·柯尼希

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/44

Abstract: 提供一种涂布设备(700)，所述涂布设备包括：(i)真空腔室(16)，所述真空腔室用于使用经由金属丝(wire)(14)加热的涂布材料涂布基板(12)；和(ii)致动器系统(18)，所述致动器系统包括机动驱动器(20)。致动器系统配置成用于在涂布期间张紧金属丝(14)。此外，提供一种制造经涂布的基板(12)的方法，所述方法包括以下步骤：(i)由包括机动驱动器的致动器系统(18)张紧金属丝(14)；和(ii)使用涂布材料(28)涂布基板(12)，所述涂布的步骤在真空条件下执行。涂布的步骤包括以下步骤：在涂布材料沉积于基板(12)之上之前，加热金属丝(14)的至少一部分(14b)至用于引起涂布材料的温度升高的操作温度。

公开(公告)号：CN104630702A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410802196.6

申请日：2010-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 秉-圣·利奥·郭 ,  斯蒂芬·班格特 ,  拉尔夫·霍夫曼 ,  迈克尔·柯尼希

IPC: C23C14/04 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M6/40 ,  C23C14/042 ,  H01M4/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/621 ,  H01M4/623 ,  H01M4/663 ,  H01M2004/028 ,  Y02E60/122 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/5313

Abstract: 一种用于基板的薄膜处理的磁性处理组件，一种用于组装和拆卸阴影掩膜以覆盖工件的顶部以暴露于处理条件的系统和方法。所述组件可包括：磁性处理载体以及阴影掩膜，所述阴影掩膜设置于所述磁性处理载体上方并磁性耦合至所述磁性处理载体，以覆盖当暴露于处理条件时将被设置在所述阴影掩膜和所述磁性处理载体之间的工件。一种系统包括：第一腔室，所述第一腔室具有保持所述阴影掩膜的第一支架；保持处理载体的第二支架；以及对准阴影掩膜和将被设置在载体和所述阴影掩膜之间的工件的对准系统。所述第一支架和所述第二支架可相对于彼此移动。

公开(公告)号：CN104630702B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410802196.6

申请日：2010-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 秉-圣·利奥·郭 ,  斯蒂芬·班格特 ,  拉尔夫·霍夫曼 ,  迈克尔·柯尼希

IPC: C23C14/04 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M6/40 ,  C23C14/042 ,  H01M4/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/621 ,  H01M4/623 ,  H01M4/663 ,  H01M2004/028 ,  Y02E60/122 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/5313

Abstract: 一种用于基板的薄膜处理的磁性处理组件，一种用于组装和拆卸阴影掩膜以覆盖工件的顶部以暴露于处理条件的系统和方法。所述组件可包括：磁性处理载体以及阴影掩膜，所述阴影掩膜设置于所述磁性处理载体上方并磁性耦合至所述磁性处理载体，以覆盖当暴露于处理条件时将被设置在所述阴影掩膜和所述磁性处理载体之间的工件。一种系统包括：第一腔室，所述第一腔室具有保持所述阴影掩膜的第一支架；保持处理载体的第二支架；以及对准阴影掩膜和将被设置在载体和所述阴影掩膜之间的工件的对准系统。所述第一支架和所述第二支架可相对于彼此移动。

公开(公告)号：CN102668215A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080051599.1

申请日：2010-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 秉-圣·利奥·郭 ,  斯蒂芬·班格特 ,  拉尔夫·霍夫曼 ,  迈克尔·柯尼希

IPC: H01M10/04 ,  H01M10/0562 ,  H01M6/18 ,  H01G9/025

CPC classification number: H01M6/40 ,  C23C14/042 ,  H01M4/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/621 ,  H01M4/623 ,  H01M4/663 ,  H01M2004/028 ,  Y02E60/122 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/5313

Abstract: 一种用于基板的薄膜处理的磁性处理组件，一种用于组装和拆卸阴影掩膜以覆盖工件的顶部以暴露于处理条件的系统和方法。所述组件可包括：磁性处理载体以及阴影掩膜，所述阴影掩膜设置于所述磁性处理载体上方并磁性耦合至所述磁性处理载体，以覆盖当暴露于处理条件时将被设置在所述阴影掩膜和所述磁性处理载体之间的工件。一种系统包括：第一腔室，所述第一腔室具有保持所述阴影掩膜的第一支架；保持处理载体的第二支架；以及对准阴影掩膜和将被设置在载体和所述阴影掩膜之间的工件的对准系统。所述第一支架和所述第二支架可相对于彼此移动。

公开(公告)号：CN102668215B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201080051599.1

申请日：2010-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 秉-圣·利奥·郭 ,  斯蒂芬·班格特 ,  拉尔夫·霍夫曼 ,  迈克尔·柯尼希

IPC: H01M10/04 ,  H01M10/0562 ,  H01M6/18 ,  H01G9/025

CPC classification number: H01M6/40 ,  C23C14/042 ,  H01M4/02 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/621 ,  H01M4/623 ,  H01M4/663 ,  H01M2004/028 ,  Y02E60/122 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/5313

Abstract: 一种用于基板的薄膜处理的磁性处理组件，一种用于组装和拆卸阴影掩膜以覆盖工件的顶部以暴露于处理条件的系统和方法。所述组件可包括：磁性处理载体以及阴影掩膜，所述阴影掩膜设置于所述磁性处理载体上方并磁性耦合至所述磁性处理载体，以覆盖当暴露于处理条件时将被设置在所述阴影掩膜和所述磁性处理载体之间的工件。一种系统包括：第一腔室，所述第一腔室具有保持所述阴影掩膜的第一支架；保持处理载体的第二支架；以及对准阴影掩膜和将被设置在载体和所述阴影掩膜之间的工件的对准系统。所述第一支架和所述第二支架可相对于彼此移动。

公开(公告)号：CN202465855U

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201120496500.0

申请日：2011-11-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 秉圣·郭 ,  斯蒂芬·班格 ,  迈克尔·柯尼希 ,  弗洛里安·里斯 ,  拉尔夫·霍夫曼

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426

Abstract: 本实用新型公开了碱金属和碱土金属的沉积系统，包括金属溅射靶、基板固定器和多个功率源，金属溅射靶包括冷却通道，基板固定器配置成保持基板面对且平行于金属溅射靶，多个功率源配置成将能量施加至在基板和金属溅射靶之间点燃的等离子体。靶可具有盖，盖配置成安装在靶材料上方，盖可包括把手和阀，把手用于自动去除和替换沉积系统内的盖，阀用于提供至靶材料和盖之间的空间的通道，以便泵送、净化或者加压空间内的气体。多个功率源可包括DC源、脉冲DC源、RF源、双RF源、其他多频源等。双RF源可配置成用于反卷积控制等离子体特性，诸如自偏压、等离子体密度以及离子和电子能量。溅射气体可包括惰性气体，惰性气体的原子量小于金属靶的原子量。