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公开(公告)号：CN104838467B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201380063812.4
申请日：2013-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·凯勒 , 斯蒂芬·班格特 , 里奥·库韦克·比安-孙
CPC classification number: C23C14/243 , C23C14/0676 , C23C14/246 , C23C14/30 , C23C14/32 , C23C14/50 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01M4/0428 , H01M4/1391 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 描述用于蒸发介电材料至基板上的沉积装置。沉积装置包括：蒸汽分配喷头；保持器，所述保持器用于提供介电材料于蒸汽分配喷头中，其中保持器具有进给单元，用于进给介电材料至蒸汽分配喷头；能源，所述能源配置成用于熔化及蒸发蒸汽分配喷头中的介电材料或使蒸汽分配喷头中的介电材料升华，其中蒸汽分配喷头具有一或更多出口，用于将蒸发的介电材料导向基板。装置进一步包括等离子体源，等离子体源配置成用于在蒸汽分配喷头与基板之间提供等离子体。
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公开(公告)号：CN103429786A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180069001.6
申请日：2011-03-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/448 , C23C16/44
Abstract: 提供一种涂布设备(700)，所述涂布设备包括：(i)真空腔室(16)，所述真空腔室用于使用经由金属丝(wire)(14)加热的涂布材料涂布基板(12)；和(ii)致动器系统(18)，所述致动器系统包括机动驱动器(20)。致动器系统配置成用于在涂布期间张紧金属丝(14)。此外，提供一种制造经涂布的基板(12)的方法，所述方法包括以下步骤：(i)由包括机动驱动器的致动器系统(18)张紧金属丝(14)；和(ii)使用涂布材料(28)涂布基板(12)，所述涂布的步骤在真空条件下执行。涂布的步骤包括以下步骤：在涂布材料沉积于基板(12)之上之前，加热金属丝(14)的至少一部分(14b)至用于引起涂布材料的温度升高的操作温度。
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公开(公告)号：CN103168115A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050142.3
申请日：2011-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拜平·塔库尔 , 乔·格里菲思克鲁兹 , 斯蒂芬·凯勒 , 维卡斯·古扎尔 , 亚努·拉万德·帕蒂尔
IPC: C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/4488 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供利用热丝化学气相沉积（HWCVD）工艺沉积膜的方法。在一些实施例中，操作HWCVD工具的方法包括提供氢气（H2）至灯丝，历经第一时段，灯丝置于HWCVD工具的处理腔室中；以及经过第一时段后，使电流流过灯丝，以将灯丝温度提高至第一温度。
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公开(公告)号：CN117999867A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202380013753.3
申请日：2023-01-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K59/122 , H10K50/17 , H10K59/80 , H10K59/35
Abstract: 本文所述的实施例涉及一种设备，该设备包括：基板、设置在基板上方的多个相邻的像素限定层(PDL)结构，以及多个子像素。每个子像素包括相邻的第一悬垂部、相邻的第二悬垂部、阳极、空穴注入层(HIL)材料、附加的有机发光二极管(OLED)材料，以及阴极。每个第一悬垂部由设置在基部结构上方并横向延伸通过基部结构的主体结构限定，基部结构设置在PDL结构上方。每个第二悬垂部由顶部结构限定，顶部结构设置在主体结构上方并横向延伸通过主体结构。HIL材料设置在阳极上方并与该阳极接触，并且设置在相邻的第一悬垂部下面。附加的OLED材料设置在HIL材料上方，并且在第一悬垂部下面延伸。
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公开(公告)号：CN112703269A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201880097507.X
申请日：2018-09-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了一种预处理用于测量沉积速率的振荡晶体(110)的方法。该方法包括对振荡晶体的测量表面(115)进行极化。具体来说，该方法包括用含氧等离子体预处理振荡晶体的测量表面，其中预处理在10℃≤T≤80℃的温度下进行1min≤t≤5min的时间段t。另外，描述了沉积速率测量装置、蒸发源和沉积设备。
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公开(公告)号：CN107980070A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201580077519.2
申请日：2015-07-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯蒂芬·班格特 , 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 斯蒂芬·凯勒 , 诺伯特·施帕茨
Abstract: 描述一种用于金属或金属合金的蒸发源(100)。蒸发源包括：蒸发坩锅(104)，其中蒸发坩锅配置为蒸发金属或金属合金；分布管(106)，具有一或多个出口(712)，沿着分布管的长度提供，其中分布管流体连通于蒸发坩锅，其中分布管进一步包括第一外部管(234)和第一内部管(232)，以及其中分布管和蒸发坩锅提供成单一件。
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公开(公告)号：CN107438897A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201580078653.4
申请日：2015-04-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 格奥尔·约斯特 , 斯蒂芬·凯勒 , 安科·赫尔密西 , 托马斯·格比利
IPC: H01L21/687
Abstract: 本文描述了一种用于待处理基板的载体系统。所述载体系统包括主载体(100)，所述主载体(100)包括用于将一个或多个副载体(400；800)耦接到主载体(100)的副载体耦接装置(201)。所述主载体(100)包括具有带交叉格栅(121)的网格形状的副载体支撑部分(120)，其中副载体耦接装置(201)提供在格栅(121)处。所述载体系统还包括用于支撑一个或多个待处理基板(500)的副载体(400；800)，其中副载体(400；800)包括一个或多个开口(422)。副载体(400；800)还包括用于耦接基板(500)的基板耦接装置(430；431)，其中基板耦接装置(430；431)被配置用于将基板(500)保持在与副载体(400；800)的开口(422)部分地重叠的位置。
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公开(公告)号：CN103168115B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180050142.3
申请日：2011-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 拜平·塔库尔 , 乔·格里菲思克鲁兹 , 斯蒂芬·凯勒 , 维卡斯·古扎尔 , 亚努·拉万德·帕蒂尔
IPC: C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/4488 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供利用热丝化学气相沉积（HWCVD）工艺沉积膜的方法。在一些实施例中，操作HWCVD工具的方法包括提供氢气（H2）至灯丝，历经第一时段，灯丝置于HWCVD工具的处理腔室中；以及经过第一时段后，使电流流过灯丝，以将灯丝温度提高至第一温度。
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