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发明公开
无卤素气相硅蚀刻无效

公开(公告)号：CN106133884A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016792.4

申请日：2015-03-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 薛君 , C·嬴 , S·D·耐马尼

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01L21/3065 , H01L21/32137 , H01L29/66545

摘要： 描述了一种从图案化的异质结构中选择性地干法蚀刻硅的方法。所述方法在远程等离子体蚀刻之前任选地包括等离子体工艺。所述等离子体工艺可以使用经偏压的等离子体来处理一些结晶硅(例如，多晶硅或单晶硅)以形成非晶硅。之后，使用含氢前体形成远程等离子体，从而形成等离子体流出物。使所述等离子体流出物流入基板处理区域，以便从图案化的基板中蚀刻所述非晶硅。通过实现经偏压的等离子体工艺，在蚀刻工艺期间，无论等离子体激发的远程性质如何，都可以将通常各向同性的蚀刻转变为方向性的(各向异性的)蚀刻。