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公开(公告)号:CN109716497B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201780057399.9
申请日:2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室,并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中,公开一种基座组件,且所述基座组件包括:基板支撑件,所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面;电阻加热器,所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内;空心轴,所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件;以及导热材料,所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号:CN109716497A
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201780057399.9
申请日:2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室,并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中,公开一种基座组件,且所述基座组件包括:基板支撑件,所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面;电阻加热器,所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内;空心轴,所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件;以及导热材料,所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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