公开(公告)号：CN113508191B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202080017675.0

申请日：2020-02-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·阿加瓦尔 ,  S·巴录佳 ,  C·彼德森 ,  M·R·赖斯

IPC: C23C16/455

Abstract: 一种用于处理腔室的喷淋头组件的气体分布板可包括至少第一板及第二板。该第一板可包括第一多个孔洞，该第一多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。该第二板可包括第二多个孔洞，该第二多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。进一步，该第一多个孔洞中的每一个与该第二多个孔洞中的相应孔洞对准而形成多个互连孔洞。该多个互连孔洞中的每一个与每一个其他互连孔洞隔离。

公开(公告)号：CN109716497B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201780057399.9

申请日：2017-09-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·阿拉亚瓦里 ,  A·巴拉克里希纳 ,  S·巴录佳 ,  A·K·班塞尔 ,  M·J·布舍 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·T·斯里尼瓦桑 ,  T·乌拉维 ,  周建华

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。

公开(公告)号：CN107534008B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201680023585.6

申请日：2016-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜博伊斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  H·K·波内坎蒂 ,  S·巴录佳 ,  P·威尔顿

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。

公开(公告)号：CN112074938A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980029240.5

申请日：2019-04-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张宇星 ,  S·巴录佳 ,  A·K·班塞尔 ,  T·A·恩古耶 ,  T·乌拉维 ,  G·克里希纳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 兹公开一种气体分配装置。该装置包括面板及阻隔板。调节机构耦合至阻隔板，且可操作以相对于面板定位阻隔板，以便修改所穿过的气体流动的流动轮廓。亦公开一种使用气体分配处理基板的方法。

公开(公告)号：CN110071057A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910064123.4

申请日：2019-01-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张宇星 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  K·高希 ,  S·巴录佳 ,  D·黄

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本文的实施方式涉及用于处理腔室中的气体分配的设备。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。所述面板一般具有陶瓷主体。在所述面板主体的上表面中形成凹槽。多个孔隙穿过面板在所述凹槽中形成。在所述凹槽中可选地设置加热器以加热所述面板。

公开(公告)号：CN107548515A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201680023407.3

申请日：2016-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜鲍斯 ,  K·高希 ,  祝基恩 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  王彦杰 ,  S·金

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。

公开(公告)号：CN107460451A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710307714.0

申请日：2017-05-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·H·金 ,  张宇星 ,  M·嘉德瑞 ,  S·巴录佳

IPC: C23C16/46 ,  C23C14/50

CPC classification number: H05B1/0233 ,  H05B3/24 ,  C23C16/46 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明涉及自居中底座加热器。本发明提供了一种底座，所述底座包括：主体；加热器，嵌入在主体中；支撑凹槽，在主体内形成，具有安置在第一平面中的表面；周边表面，安置在第二平面中，包围支撑凹槽；以及多个定心凸片，定位在支撑凹槽与周边表面之间，每个定心凸片具有安置在第三平面中的表面，第三平面在第一平面和第二平面两者之间。

公开(公告)号：CN104995726A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008665.5

申请日：2014-02-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜鲍斯 ,  B·杨 ,  J·周 ,  S·巴录佳 ,  A·K·班塞尔 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67248 ,  G01K1/08 ,  G01K1/14 ,  G01K7/02 ,  G01K7/16 ,  G01K13/00 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本公开的实施例大体上提供用于监测各个位置处的一个或更多个制程参数(诸如基板支撑件的温度)的设备及方法。本公开的一个实施例提供一种用于测量处理腔室中的一或更多个参数的传感器柱。传感器柱包括：用于接触正经测量的腔室部件的尖端；具有自第一端及第二端延伸的内容积的保护管，其中该尖端附接于保护管的第一端并在第一端处密封保护管；及安置于尖端附近的传感器。在保护管的内容积中安放传感器的连接器，及在操作期间经由处理腔室的开口将尖端安置于处理腔室中。

公开(公告)号：CN102057479B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980122000.6

申请日：2009-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·W·何 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明实施例一般涉及一种固化介电材料以产生不具空隙与缝隙的特征的方法与设备，所述介电材料沉积于基材表面中的沟槽或间隙内。一个实施例中，介电材料在暴露于紫外光辐射时经蒸汽退火。一个实施例中，介电材料进一步于氮环境中经热退火。

公开(公告)号：CN119082711A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411193850.8

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·A·恩古耶 ,  J·M·舒浩勒 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  D·伯拉尼克 ,  T·乌拉维 ,  A·K·班塞尔 ,  S·巴录佳 ,  马骏 ,  J·C·罗查

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01R4/66

Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。