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公开(公告)号：CN115917040B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202180039961.1
申请日：2021-05-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种装置，包括腔室主体及盖，在其中界定容积。装置包括基板支撑件，布置于容积中与盖相对。基板支撑件包括支撑主体，布置于主干上；及接地板，布置于支撑主体与主干之间。顶部凸缘耦合至接地板的下部外周表面；且底部凸缘耦合至腔室主体的底部。底部凸缘及顶部凸缘以利用多个条带彼此耦合，条带的各者具有耦合至底部凸缘的第一端及耦合至顶部凸缘的第二端。
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公开(公告)号：CN109075025B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780023993.6
申请日：2017-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , K·嘉纳基拉曼 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/66
Abstract: 本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或移动基板和/或基板支撑件，以达到改善的膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷头的校平的持续变化，可得到对各层的独立调校，以平均化基板上的有效沉积，因而改良整体的叠层沉积性能。
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公开(公告)号：CN113939893A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080040862.0
申请日：2020-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·斯里瓦斯塔瓦 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , D·R·本杰明拉吉 , A·K·班塞尔 , J·C·罗查 , G·E·奇可卡诺夫 , 韩新海 , 尾方正树 , K·恩斯洛 , 王文佼
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 一种用于基板处理腔室的面板包含第一表面和第二表面。第二表面成形为使得第二表面包括峰，并且在第一表面和第二表面之间的距离在面板的整个宽度上变化。面板的第二表面暴露于处理腔室的处理容积。此外，面板可以是处理腔室的盖组件的一部分。盖组件可包括面向面板的第一表面的挡板。在挡板和第一表面之间的距离是恒定的。
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公开(公告)号：CN112639164A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057060.8
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器被附接以用于真空操作。底座升降器包括多个致动器以创建动态升降机构。两种系统完成了嵌套系统(nested system)，使得底部碗升降器是可调节的，并且可以关闭底部碗，从而创建对称且小的工艺容积。底座升降器可独立地移动到底座升降器的工艺位置，并且沿所期望的方向倾斜，而不受底部碗升降器的干扰，从而增加了经处理的基板上的膜均匀性。
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公开(公告)号：CN112105759A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031329.5
申请日：2019-07-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于多个出口的一个出口处。多个出口中的每个出口与形成在环形气室中的多个入口端口中的一个或多个入口端口流体连通。多个入口端口中的每个入口端口围绕环形气室的中心轴等距隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106133873B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN107359105A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710624010.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 , S·巴录佳 , S·H·金 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及了一种处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法。喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
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公开(公告)号：CN112639164B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980057060.8
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505 , H01L21/687
Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器被附接以用于真空操作。底座升降器包括多个致动器以创建动态升降机构。两种系统完成了嵌套系统(nested system)，使得底部碗升降器是可调节的，并且可以关闭底部碗，从而创建对称且小的工艺容积。底座升降器可独立地移动到底座升降器的工艺位置，并且沿所期望的方向倾斜，而不受底部碗升降器的干扰，从而增加了经处理的基板上的膜均匀性。
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公开(公告)号：CN106067433B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201610248104.3
申请日：2016-04-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·A·恩古耶 , A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了一种半导体处理系统中的外部基板旋转。本文公开一种用于处理半导体的方法和设备。在一个实施例中，公开了一种用于半导体处理的处理系统。处理腔室包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至传送腔室。旋转模块定位在传送腔室之间。旋转模块配置成旋转基板。传送腔室配置成在处理腔室与传送腔室之间传送基板。在另一实施例中，本文公开了一种用于在装置上处理基板的方法。
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公开(公告)号：CN112166491A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201980033690.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实施方式总的来说提供改进的方法，所述方法用于清洁真空腔室以在腔室陈化工艺之前从真空腔室移除吸附的污染物，同时将所述腔室维持在所期望的沉积处理温度下。所述污染物可由清洁气体与腔室部件以及真空腔室的壁反应而形成。
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