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公开(公告)号：CN1638014B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200510000186.1
申请日：2005-01-06
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/00 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及用于离子注入机的一种离子束监测装置，在所述离子注入机中，希望可以监测用于注入的离子束的通量和/或横截面图。通常希望的是，测量离子注入机内离子束的通量和/或横截面图，以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。本发明描述了改进晶片支座以获得这样的离子束断面图。衬底支座可用于逐渐堵截离子束使其不能进入下游通量监测器，或者可以将通量检测器安装到晶片支座上，该通量监测器具有窄入口孔。
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公开(公告)号：CN1638015B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510000583.9
申请日：2005-01-10
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J2237/082 , H01J2237/20228 , H01J2237/2485 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488
摘要： 本发明关于使用离子束在衬底中注入离子的方法以及和这种方法一起使用的离子注入机，其中离子束中可能出现不稳定。本发明还关于用于产生离子束的离子源，所述离子束可以被快速切断。实际上，本发明提供了一种注入离子的方法，其包括当检测到离子束中的不稳定时，切断离子束，同时继续进行衬底相对于离子束的运动，以离开穿过衬底的扫描线的未注入部分；再次产生稳定的离子束，并通过对所述轨迹的未注入部分进行注入，完成扫描线。
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公开(公告)号：CN1638015A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000583.9
申请日：2005-01-10
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J2237/082 , H01J2237/20228 , H01J2237/2485 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488
摘要： 本发明关于使用离子束在衬底中注入离子的方法以及和这种方法一起使用的离子注入机，其中离子束中可能出现不稳定。本发明还关于用于产生离子束的离子源，所述离子束可以被快速切断。实际上，本发明提供了一种注入离子的方法，其包括当检测到离子束中的不稳定时，切断离子束，同时继续进行衬底相对于离子束的运动，以离开穿过衬底的扫描线的未注入部分；再次产生稳定的离子束，并通过对所述轨迹的未注入部分进行注入，完成扫描线。
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公开(公告)号：CN1638014A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000186.1
申请日：2005-01-06
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/00 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及用于离子注入机的一种离子束监测装置，在所述离子注入机中，希望可以监测用于注入的离子束的通量和/或横截面图。通常希望的是，测量离子注入机内离子束的通量和/或横截面图，以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。本发明描述了改进晶片支座以获得这样的离子束断面图。衬底支座可用于逐渐堵截离子束使其不能进入下游通量监测器，或者可以将通量检测器安装到晶片支座上，该通量监测器具有窄入口孔。
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