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公开(公告)号：CN1638015A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000583.9
申请日：2005-01-10
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J2237/082 , H01J2237/20228 , H01J2237/2485 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488
摘要： 本发明关于使用离子束在衬底中注入离子的方法以及和这种方法一起使用的离子注入机，其中离子束中可能出现不稳定。本发明还关于用于产生离子束的离子源，所述离子束可以被快速切断。实际上，本发明提供了一种注入离子的方法，其包括当检测到离子束中的不稳定时，切断离子束，同时继续进行衬底相对于离子束的运动，以离开穿过衬底的扫描线的未注入部分；再次产生稳定的离子束，并通过对所述轨迹的未注入部分进行注入，完成扫描线。
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公开(公告)号：CN1638014A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510000186.1
申请日：2005-01-06
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/00 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及用于离子注入机的一种离子束监测装置，在所述离子注入机中，希望可以监测用于注入的离子束的通量和/或横截面图。通常希望的是，测量离子注入机内离子束的通量和/或横截面图，以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。本发明描述了改进晶片支座以获得这样的离子束断面图。衬底支座可用于逐渐堵截离子束使其不能进入下游通量监测器，或者可以将通量检测器安装到晶片支座上，该通量监测器具有窄入口孔。
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公开(公告)号：CN1638014B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200510000186.1
申请日：2005-01-06
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/00 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30455 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及用于离子注入机的一种离子束监测装置，在所述离子注入机中，希望可以监测用于注入的离子束的通量和/或横截面图。通常希望的是，测量离子注入机内离子束的通量和/或横截面图，以提高对半导体晶片或者类似材料的离子注入的控制。本发明描述了改进晶片支座以获得这样的离子束断面图。衬底支座可用于逐渐堵截离子束使其不能进入下游通量监测器，或者可以将通量检测器安装到晶片支座上，该通量监测器具有窄入口孔。
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公开(公告)号：CN1667791A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510051337.6
申请日：2005-03-04
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及离子注入衬底的剂量控制中的或有关的改进，例如给半导体晶片掺杂。对离子束进行测量以确保晶片被注入了正确均匀的离子剂量。入射离子包括离子和中性粒子，但检测器只能测量离子。离子/中性粒子的比率随离子注入器的腔压力而变化，而人们都知道该腔压力又会分别随离子束的开关根据一个特征时间常数而变化。本发明提供了利用所述时间常数校正所测量的离子电流的方法，解决了中性粒子的问题。最初，使用一个假定的时间常数，在一个延迟之后，通过测量所述离子电流来改进该时间常数，这个延迟要足以使所述腔压力回复到它的基本压力。也可通过在已经确定的真实束电流值中消除正交变化来改进该时间常数。
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公开(公告)号：CN1638015B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510000583.9
申请日：2005-01-10
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/3023 , H01J37/304 , H01J2237/082 , H01J2237/20228 , H01J2237/2485 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488
摘要： 本发明关于使用离子束在衬底中注入离子的方法以及和这种方法一起使用的离子注入机，其中离子束中可能出现不稳定。本发明还关于用于产生离子束的离子源，所述离子束可以被快速切断。实际上，本发明提供了一种注入离子的方法，其包括当检测到离子束中的不稳定时，切断离子束，同时继续进行衬底相对于离子束的运动，以离开穿过衬底的扫描线的未注入部分；再次产生稳定的离子束，并通过对所述轨迹的未注入部分进行注入，完成扫描线。
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公开(公告)号：CN1667791B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200510051337.6
申请日：2005-03-04
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703
摘要： 本发明涉及离子注入衬底的剂量控制中的或有关的改进，例如给半导体晶片掺杂。对离子束进行测量以确保晶片被注入了正确均匀的离子剂量。入射离子包括离子和中性粒子，但检测器只能测量离子。离子/中性粒子的比率随离子注入器的腔压力而变化，而人们都知道该腔压力又会分别随离子束的开关根据一个特征时间常数而变化。本发明提供了利用所述时间常数校正所测量的离子电流的方法，解决了中性粒子的问题。最初，使用一个假定的时间常数，在一个延迟之后，通过测量所述离子电流来改进该时间常数，这个延迟要足以使所述腔压力回复到它的基本压力。也可通过在已经确定的真实束电流值中消除正交变化来改进该时间常数。
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