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公开(公告)号：CN116783693A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180092484.5
申请日：2021-12-21
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于均匀地蚀刻工件的系统及方法。系统包括：半导体处理系统，生成带状离子束；及工件固持器，使工件接受带状离子束的扫描。工件固持器包括延伸超出工件的一部分，所述部分被称为环圈。可独立地对环圈进行加热以补偿蚀刻速率不均匀性。在一些实施例中，可独立地对环圈加偏压以使得其电势不同于施加到工件的电势。在某些实施例中，环圈可被划分成可被单独控制的多个热区带。如此一来，可通过控制环圈的所述多个热区带中的各个热的电势和/或温度来解决各种蚀刻速率不均匀性。
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