公开(公告)号：CN117337484A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202280036243.3

申请日：2022-05-20

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 杰伊·R·沃利斯 ,  赛门·罗芙尔 ,  凯文·R·安葛林 ,  泰勒·洛克威尔 ,  克里斯多夫·坎贝尔 ,  凯文·M·丹尼尔斯 ,  理查德·J·赫尔特 ,  凯文·T·莱恩

IPC: H01L21/687

Abstract: 一种衬底支架总成包括衬底台板、晕环及外晕，所述衬底台板被设置成在衬底位置处支撑衬底，所述晕环设置在所述衬底位置周围，所述外晕设置在所述晕环周围且界定第一孔，其中所述外晕被设置成与所述晕环啮合，所述晕环至少局部地设置在所述第一孔内，所述晕环界定同心地定位在所述第一孔内的第二孔，其中所述外晕及所述晕环至少局部地由硅、碳化硅、经掺杂硅、石英及陶瓷形成。

公开(公告)号：CN116783693A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202180092484.5

申请日：2021-12-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·R·安葛林 ,  赛门·罗芙尔 ,  凯文·威耶

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种用于均匀地蚀刻工件的系统及方法。系统包括：半导体处理系统，生成带状离子束；及工件固持器，使工件接受带状离子束的扫描。工件固持器包括延伸超出工件的一部分，所述部分被称为环圈。可独立地对环圈进行加热以补偿蚀刻速率不均匀性。在一些实施例中，可独立地对环圈加偏压以使得其电势不同于施加到工件的电势。在某些实施例中，环圈可被划分成可被单独控制的多个热区带。如此一来，可通过控制环圈的所述多个热区带中的各个热的电势和/或温度来解决各种蚀刻速率不均匀性。

公开(公告)号：CN115485823A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032899.3

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·R·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/305

Abstract: 揭示一种用于以均匀的方式蚀刻工件的系统及方法。所述系统包括产生带状离子束的半导体处理系统及扫描工件通过带状离子束的工件托座。工件托座包括多个独立控制的热区，从而可分开地控制工件的不同区域的温度。在某些实施例中，蚀刻速率均匀性可以是距工件中心的距离的函数，也称为径向不均匀性。此外，当扫描工件时，在平移方向上也可能存在蚀刻速率均匀性问题，称为线性不均匀性。本发明的工件托座包括多个独立控制的热区，以补偿径向及线性蚀刻速率的不均匀性。

公开(公告)号：CN115485823B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202180032899.3

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·R·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/305

Abstract: 揭示一种用于以均匀的方式蚀刻工件的工件托座与蚀刻系统及方法。所述系统包括产生带状离子束的半导体处理系统及扫描工件通过带状离子束的工件托座。工件托座包括多个独立控制的热区，从而可分开地控制工件的不同区域的温度。在某些实施例中，蚀刻速率均匀性可以是距工件中心的距离的函数，也称为径向不均匀性。此外，当扫描工件时，在平移方向上也可能存在蚀刻速率均匀性问题，称为线性不均匀性。本发明的工件托座包括多个独立控制的热区，以补偿径向及线性蚀刻速率的不均匀性。

公开(公告)号：CN118315265A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410468470.4

申请日：2019-12-05

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  H01J37/147 ,  H01L21/3065 ,  B05D1/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/265 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 一种对衬底进行图案化的设备。所述设备包括至少一个等离子体腔室以及控制器。至少一个等离子体腔室包括抽取板，抽取板具有抽取开孔，其中抽取开孔被布置成：将斜角反应性离子束以相对于衬底平面的法线的非零入射角引导至衬底；以及将沉积物质引导至衬底上以在衬底上沉积聚合物层。控制器耦合到至少一个等离子体腔室，且被布置成使衬底在多个刻蚀循环内循环，其中给定的蚀刻循环包括由沉积物质沉积聚合物层以及使用斜角反应性离子束蚀刻衬底。

公开(公告)号：CN113169046B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201980077053.4

申请日：2019-12-05

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/768

Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法及设备。所述方法可包括在设置在衬底上的层中提供腔，腔沿着第一方向具有第一长度且沿着与第一方向垂直的第二方向具有第一宽度，并且其中层沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向具有第一高度。所述方法可包括：在第一沉积程序中在腔之上沉积牺牲层；以及在第一次曝光中将斜角离子引导到腔，其中腔被刻蚀，并且其中在第一次曝光之后，腔沿着第一方向具有大于第一长度的第二长度，且其中腔沿着第二方向具有不大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN113169046A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077053.4

申请日：2019-12-05

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/768

Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法。所述方法可包括在设置在衬底上的层中提供腔，腔沿着第一方向具有第一长度且沿着与第一方向垂直的第二方向具有第一宽度，并且其中层沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向具有第一高度。所述方法可包括：在第一沉积程序中在腔之上沉积牺牲层；以及在第一次曝光中将斜角离子引导到腔，其中腔被刻蚀，并且其中在第一次曝光之后，腔沿着第一方向具有大于第一长度的第二长度，且其中腔沿着第二方向具有不大于第一宽度的第二宽度。