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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115485823B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202180032899.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/305
Abstract: 揭示一种用于以均匀的方式蚀刻工件的工件托座与蚀刻系统及方法。所述系统包括产生带状离子束的半导体处理系统及扫描工件通过带状离子束的工件托座。工件托座包括多个独立控制的热区，从而可分开地控制工件的不同区域的温度。在某些实施例中，蚀刻速率均匀性可以是距工件中心的距离的函数，也称为径向不均匀性。此外，当扫描工件时，在平移方向上也可能存在蚀刻速率均匀性问题，称为线性不均匀性。本发明的工件托座包括多个独立控制的热区，以补偿径向及线性蚀刻速率的不均匀性。
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公开(公告)号：CN117337484A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202280036243.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 一种衬底支架总成包括衬底台板、晕环及外晕，所述衬底台板被设置成在衬底位置处支撑衬底，所述晕环设置在所述衬底位置周围，所述外晕设置在所述晕环周围且界定第一孔，其中所述外晕被设置成与所述晕环啮合，所述晕环至少局部地设置在所述第一孔内，所述晕环界定同心地定位在所述第一孔内的第二孔，其中所述外晕及所述晕环至少局部地由硅、碳化硅、经掺杂硅、石英及陶瓷形成。
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公开(公告)号：CN118103940A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068986.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 科斯特尔·拜洛 , 杰伊·R·沃利斯 , 所罗门·拜兰格迪·巴萨姆 , 凯文·R·安葛林 , 泰勒·洛克威尔
Abstract: 一种提取组合件可包括提取板，所述提取板用于沿着等离子体腔室的侧放置并且具有沿着第一方向伸长的提取开孔且具有沿着与第一方向垂直的第二方向延伸的开孔高度。所述提取板对位于第一平面中的沿着提取开孔的内表面进行界定。束阻挡器设置在提取开孔之上且具有设置在与第一平面不同的第二平面中的外表面。这样一来，所述束阻挡器沿着提取开孔的第一边缘与提取板重叠达第一重叠距离且沿着提取开孔的第二边缘与提取板重叠达第二重叠距离，以对沿着第一边缘的第一提取狭缝及沿着第二边缘的第二提取狭缝进行界定。
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公开(公告)号：CN116783693A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180092484.5
申请日：2021-12-21
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种用于均匀地蚀刻工件的系统及方法。系统包括：半导体处理系统，生成带状离子束；及工件固持器，使工件接受带状离子束的扫描。工件固持器包括延伸超出工件的一部分，所述部分被称为环圈。可独立地对环圈进行加热以补偿蚀刻速率不均匀性。在一些实施例中，可独立地对环圈加偏压以使得其电势不同于施加到工件的电势。在某些实施例中，环圈可被划分成可被单独控制的多个热区带。如此一来，可通过控制环圈的所述多个热区带中的各个热的电势和/或温度来解决各种蚀刻速率不均匀性。
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公开(公告)号：CN115485823A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180032899.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/305
Abstract: 揭示一种用于以均匀的方式蚀刻工件的系统及方法。所述系统包括产生带状离子束的半导体处理系统及扫描工件通过带状离子束的工件托座。工件托座包括多个独立控制的热区，从而可分开地控制工件的不同区域的温度。在某些实施例中，蚀刻速率均匀性可以是距工件中心的距离的函数，也称为径向不均匀性。此外，当扫描工件时，在平移方向上也可能存在蚀刻速率均匀性问题，称为线性不均匀性。本发明的工件托座包括多个独立控制的热区，以补偿径向及线性蚀刻速率的不均匀性。
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