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公开(公告)号:CN103430308A
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201180066363.X
申请日:2011-12-01
申请人: 康奈尔大学
CPC分类号: H01L25/16 , B81C1/00246 , B81C2203/075 , H01L29/42316 , H01L29/66893 , H01L29/66901 , H01L29/735 , H01L29/8086 , H01L29/8126 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本公开涉及包括NEMS/MEMS机械及关联电路的器件。该电路包括至少一个用来(i)驱动NEMS/MEMS机械和/或(ii)接收NEMS/MEMS机械运行反馈的晶体管,优选为JFET。晶体管(如JFET)和NEMS/MEMS机械被单片集成以增强信号转换和处理。由于混合集成减小寄生和失配,单片集成优选采用混合集成(如使用引线键合、倒装芯片接触键合等)。在一例中,JFET被直接集成到MEMS机械中,即以SOI MEMS悬臂梁的形式,形成传感与电子集成之间紧凑的集成。当连接到JFET的悬臂梁被静电驱动时;其运动直接影响JFET中流过单片集成导电路径(例如线径、通孔等)的电流。在一例中,根据本发明的器件实现在2μm厚SOI交叉梁中,其具有MoSi2接触金属化以最小化应力并形成欧姆接触。在该例中,MEMS悬臂梁的吸引电压是21V,JFET的夹断电压是–19V。
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公开(公告)号:CN104105655B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201280068948.X
申请日:2012-12-17
申请人: 康奈尔大学
摘要: 本申请公开了一种多尖端纳米探针装置,和一种在使用多尖纳米探针装置的同时用于探测样品的方法,其均使用位于衬底上的:(1)相对于衬底的不可移动的探针尖端;(2)相对于衬底的可移动的探针尖端;以及(3)与可移动的探针尖端耦接的运动传感器。由于运动传感器与可移动的探针尖端的紧密耦接以及可移动探针尖端相对于不可移动探针尖端的可缩进性,这种多尖端纳米探针装置和相关方法提供了改进的样品探测。
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公开(公告)号:CN104105655A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201280068948.X
申请日:2012-12-17
申请人: 康奈尔大学
摘要: 本申请公开了一种多尖端纳米探针装置,和一种在使用多尖纳米探针装置的同时用于探测样品的方法,其均使用位于衬底上的:(1)相对于衬底的不可移动的探针尖端;(2)相对于衬底的可移动的探针尖端;以及(3)与可移动的探针尖端耦接的运动传感器。由于运动传感器与可移动的探针尖端的紧密耦接以及可移动探针尖端相对于不可移动探针尖端的可缩进性,这种多尖端纳米探针装置和相关方法提供了改进的样品探测。
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公开(公告)号:CN103430308B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201180066363.X
申请日:2011-12-01
申请人: 康奈尔大学
CPC分类号: H01L25/16 , B81C1/00246 , B81C2203/075 , H01L29/42316 , H01L29/66893 , H01L29/66901 , H01L29/735 , H01L29/8086 , H01L29/8126 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本公开涉及包括NEMS/MEMS机械及关联电路的器件。该电路包括至少一个用来(i)驱动NEMS/MEMS机械和/或(ii)接收NEMS/MEMS机械运行反馈的晶体管,优选为JFET。晶体管(如JFET)和NEMS/MEMS机械被单片集成以增强信号转换和处理。由于混合集成减小寄生和失配,单片集成优选采用混合集成(如使用引线键合、倒装芯片接触键合等)。在一例中,JFET被直接集成到MEMS机械中,即以SOI MEMS悬臂梁的形式,形成传感与电子集成之间紧凑的集成。当连接到JFET的悬臂梁被静电驱动时;其运动直接影响JFET中流过单片集成导电路径(例如线径、通孔等)的电流。在一例中,根据本发明的器件实现在2μm厚SOI交叉梁中,其具有MoSi2接触金属化以最小化应力并形成欧姆接触。在该例中,MEMS悬臂梁的吸引电压是21V,JFET的夹断电压是–19V。
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