包含侧壁阻障层的半导体电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN116457948A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202180077444.3

    申请日:2021-11-10

    发明人: 金勋 R·G·曼利

    IPC分类号: H01L29/49

    摘要: 本公开包含半导体器件,该半导体器件包括:基板,该基板包含器件表面;以及图案化金属电极,该图案化金属电极设置在该基板上。该图案化金属电极由铜、金及银中之一者或多者形成。该图案化金属电极包括靠近该基板的下表面、上表面及在该下表面与该上表面之间延伸的侧壁,侧壁阻障层在该侧壁上延伸。该侧壁阻障层可以是氧化锰阻障层。