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公开(公告)号：CN113892157A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039200.1
申请日：2020-04-07
申请人： 开普勒计算公司
摘要： 所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种电容器包括结晶极性层，所述结晶极性层包括置换地掺杂有掺杂剂的基底极性材料。所述基底极性材料包括一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者。所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的4d系列、5d系列、4f系列或5f系列中的一者的金属元素，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。
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公开(公告)号：CN113906562A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080039278.3
申请日：2020-04-07
申请人： 开普勒计算公司
IPC分类号： H01L27/11507 , G11C11/22 , H01L27/11512
摘要： 一种半导体装置包括形成在硅衬底上的晶体管及通过导电通路来电连接到所述晶体管的电容器；所述电容器包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的基底极性材料，其中所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者，其中所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV；所述半导体装置另外包括下势垒层，所述下势垒层包括下导电氧化物电极与所述导电通路之间的耐火金属或金属间化合物。
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公开(公告)号：CN113826202A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080035818.0
申请日：2020-05-14
申请人： 开普勒计算公司
摘要： 一种改进AI处理系统的性能的封装技术。IC封装包括：衬底；在衬底上的第一管芯和堆叠在第一管芯上的第二管芯。第一管芯包括存储器并且第二管芯包括计算逻辑。第一管芯包括具有比特单元的DRAM。第一管芯的存储器可以存储输入数据和权重因子。第二管芯的计算逻辑耦合到第一管芯的存储器。在一个示例中，第二管芯是推理管芯，其将已训练模型的固定权重应用于输入数据以生成输出。在一个示例中，第二管芯是使得能够学习权重的训练管芯。通过将第一管芯放置在第二管芯下方来改变超高带宽。两个管芯是经由微凸块而晶片对晶片接合或耦合的。
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公开(公告)号：CN113892155A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039183.1
申请日：2020-04-07
申请人： 开普勒计算公司
摘要： 所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种半导体装置包括电容器，所述电容器又包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的基底极性材料。所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者。所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。电容器堆叠另外包括所述极性层的相对侧上的第一结晶导电氧化物电极及第二结晶导电氧化物电极。
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公开(公告)号：CN116830460A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180093004.7
申请日：2021-09-01
申请人： 开普勒计算公司
IPC分类号： H03K19/23
摘要： 低功率时序电路(例如，锁存器)使用非线性极性电容器以比传统CMOS时序电路更少的晶体管来保持电荷。该时序电路包括具有第一、第二和第三输入以及第一输出的3输入多数逻辑门。该时序电路包括耦合到第一输出的驱动器，其中该驱动器用于产生第二输出。该时序电路还包括用于接收时钟和第二输出的异或(XOR)门，其中该XOR门用于产生耦合到第二输入的第三输出，其中第一输入用于接收数据，并且其中第三输入用于接收第二输出。
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公开(公告)号：CN113892156A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039195.4
申请日：2020-04-07
申请人： 开普勒计算公司
摘要： 所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种半导体装置包括电容器，所述电容器又包括极性层，所述极性层包括掺杂有掺杂剂的结晶基底极性材料。所述基底极性材料包含一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者，其中所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的金属元素且以一浓度存在，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。
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