-
公开(公告)号：CN118127583A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410310288.6
申请日：2024-03-19
申请人： 强一半导体(苏州)股份有限公司
摘要： 本申请公开一种用于MEMS镍钴镀层的制作方法，包括如下步骤：在基片表面形成种子层；在种子层的表面刻蚀出所需镀层的形貌；对带有光刻图形的基片进行前处理；将带有光刻图形的基片浸入电镀液中，每升电镀液包括：220～250g硫酸镍、55～65g氯化镍、35～40g硫酸钴、25～35g硼酸、2.6～4.0g光亮剂、0.05～0.1g2‑乙基己基硫酸钠和0.10～0.20g3,4,5‑三羟基苯甲酸钠，余量为去离子水；电源对基片和电镀液施加电压以在基片的表面按照光刻图形形成镍钴镀层；从电镀液中取出表面形成有镍钴镀层的MEMS器件，并进行清洗和烘干。本申请的制作方法工艺简单、操作便捷，提高探针的外观和质量以及电沉积速率，生产周期短，经济效应好，解决现有技术中脉冲电镀镍钴镀层的镀速过慢的问题。
-
公开(公告)号：CN118671405A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410705172.2
申请日：2024-06-03
申请人： 强一半导体(苏州)股份有限公司
IPC分类号： G01R1/073
摘要： 本申请提出了一种薄膜探针卡及其探针针尖更换工艺，该薄膜探针卡包括薄膜探针主体、开设在薄膜探针主体底面上的若干探针座以及若干探针针尖，各探针座均具有向内凹陷的空腔，空腔内填充有第一金属，若干探针针尖的上端部分别通过第一金属固定在空腔内。本申请采用电镀的方法将新的探针针尖锚定在探针座中，可以减少薄膜损耗，实现对薄膜探针主体的重复利用，还可以节约测试成本和加工周期。由于影响探针卡高频性能的线路都在薄膜探针主体当中，因此通过本申请的工艺更换探针针尖不会影响探针卡的高频性能。
-
公开(公告)号：CN118579723A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410705036.3
申请日：2024-06-03
申请人： 强一半导体(苏州)股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本申请提出了一种基于离子束刻蚀工艺的MEMS探针的制造方法，是基于离子束刻蚀（IBE）工艺的减法工艺制作MEMS探针，采用具有一定能量的离子束轰击衬底材料表面，使衬底材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的。由于探针结构的深宽比较大，采用离子束刻蚀可以大幅提升分辨率，同时避免了传统加工工艺中的电镀工序，可以避免电镀的引入的内应力对细长探针带来变形等影响。
-
公开(公告)号：CN118127582A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410310156.3
申请日：2024-03-19
申请人： 强一半导体(苏州)股份有限公司
摘要： 本申请公开一种低应力镍硼电镀液和电镀方法，主要由建浴镀液A剂和硼源补充剂B剂配合调制，建浴镀液A剂中包含：镍离子源、缓冲剂、表面活性剂、硼源、低应力剂、PH调节剂以及去离子水；硼源补充剂B剂包含：硼源和去离子水；其中，电镀液的硼离子的浓度范围小于等于3g/L，镍离子的浓度范围为60‑80g/L；硼源包括二甲胺硼烷、三甲胺硼烷、硼氢化钠、碳硼烷和十水合硼酸钠中的至少一种；低应力剂包括邻苯甲酰磺酰亚胺、邻苯甲酰磺酰亚胺钠、萘‑1,5‑二磺酸、萘三磺酸、苯磺酰胺、双苯磺酰亚胺、丙烯基磺酸钠和丙炔磺酸钠中的至少一种。本申请通过动态平衡电镀液中的硼源浓度以及电镀后的退火处理，可获得应力接近零的镍硼镀层，电镀效率高，有效提高生产效率。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.037 秒)
