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公开(公告)号：CN101615426B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910165584.7
申请日：2002-12-16
申请人： 微米技术有限公司
发明人： G·哈斯
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C7/12 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。
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公开(公告)号：CN100483549C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN02827370.2
申请日：2002-11-20
申请人： 微米技术有限公司
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C7/062 , G11C11/16 , G11C13/004 , G11C2013/0042 , G11C2213/79
摘要： 公开了一种方法和设备，用于使用互补PCRAM元件来感测可编程导体随机存取存储器(PCRAM)的阻态，一个保持被感测的阻态和另一个保持互补阻态。感测放大器通过高和低电阻元件来检测电压释放，以确定被读取元件的阻态。
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公开(公告)号：CN1620699A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828147.0
申请日：2002-12-16
申请人： 微米技术有限公司
发明人： G·哈斯
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C7/12 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。
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公开(公告)号：CN101615426A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910165584.7
申请日：2002-12-16
申请人： 微米技术有限公司
发明人： G·哈斯
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C7/12 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。
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公开(公告)号：CN1672214A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN02827370.2
申请日：2002-11-20
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C7/062 , G11C11/16 , G11C13/004 , G11C2013/0042 , G11C2213/79
摘要： 公开了一种方法和设备，用于使用互补PCRAM元件来感测可编程导体随机存取存储器(PCRAM)的阻态，一个保持被感测的阻态和另一个保持互补阻态。感测放大器通过高和低阻抗元件来检测电压释放，以确定被读取元件的阻态。
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公开(公告)号：CN100538878C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN02828147.0
申请日：2002-12-16
申请人： 微米技术有限公司
发明人： G·哈斯
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C7/12 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。
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