公开(公告)号：CN100483767C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN03808878.9

申请日：2003-02-14

申请人： 微米技术有限公司

发明人： K·A·坎贝尔 ,  J·穆尔

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/34 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： 本发明涉及用于提供具有改善的数据保持和转换特性的电阻可变存储器元件的方法和装置。根据本发明的一个实施方案，电阻可变存储器元件在玻璃层(17，20)之间设有至少一层银的硒化物层(18)，其中玻璃层中的至少一层是硫族化物玻璃，优选具有GexSe100-x成分。

公开(公告)号：CN1820323A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200480019457.1

申请日：2004-05-07

申请人： 微米技术有限公司

发明人： G·赫什 ,  J·R·贝克 ,  J·穆尔

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C13/00 ,  G11C7/065 ,  G11C11/4091 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2207/2227

摘要： 一种可变电阻存储器感测放大器，其具有内建偏移以在电阻性存储器单元处于低电阻状态时帮助切换感测放大器。该内建偏移可以通过改变感测放大器当中的晶体管的尺寸、阈值电压、关联电容或关联电阻来实现。

公开(公告)号：CN1647292A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808878.9

申请日：2003-02-14

申请人： 微米技术有限公司

发明人： K·A·坎贝尔 ,  J·穆尔

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11C11/34 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： 本发明涉及用于提供具有改善的数据保持和转换特性的电阻可变存储器元件的方法和装置。根据本发明的一个实施方案，电阻可变存储器元件在玻璃层(17，20)之间设有至少一层银的硒化物层(18)，其中玻璃层中的至少一层是硫族化物玻璃，优选具有GexSe100－x成分。

公开(公告)号：CN1820323B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480019457.1

申请日：2004-05-07

申请人： 微米技术有限公司

发明人： G·赫什 ,  J·R·贝克 ,  J·穆尔

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C13/00 ,  G11C7/065 ,  G11C11/4091 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2207/2227

摘要： 一种可变电阻存储器感测放大器，其具有内建偏移以在电阻性存储器单元处于低电阻状态时帮助切换感测放大器。该内建偏移可以通过改变感测放大器当中的晶体管的尺寸、阈值电压、关联电容或关联电阻来实现。