公开(公告)号：CN112461900A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202110150684.3

申请日：2021-02-04

申请人： 微龛(广州)半导体有限公司

发明人： 刘森 ,  方亮 ,  李建平 ,  史林森 ,  张均安

IPC分类号： G01N27/04

摘要： 本发明提供一种基于伪MOSFET的InGaAs晶圆几何因子表征方法及表征系统，表征方法包括：提供待表征试样，最上层为InGaAs层，构成伪MOS结构；基于第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫及第四衬垫测试方块电阻、测试区电阻，并基于测试结构及电流电压关系实现InGaAs基伪MOSFET的几何因子的表征。本发明通过测试方法过程中测试方式的设计，可以实现InGaAs基的伪MOSFET的几何因子表征，表征方式简单，表征系统结构简单。

公开(公告)号：CN112461900B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202110150684.3

申请日：2021-02-04

申请人： 微龛(广州)半导体有限公司

发明人： 刘森 ,  方亮 ,  李建平 ,  史林森 ,  张均安

IPC分类号： G01N27/04

摘要： 本发明提供一种基于伪MOSFET的InGaAs晶圆几何因子表征方法及表征系统，表征方法包括：提供待表征试样，最上层为InGaAs层，构成伪MOS结构；基于第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫及第四衬垫测试方块电阻、测试区电阻，并基于测试结构及电流电压关系实现InGaAs基伪MOSFET的几何因子的表征。本发明通过测试方法过程中测试方式的设计，可以实现InGaAs基的伪MOSFET的几何因子表征，表征方式简单，表征系统结构简单。