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公开(公告)号：CN116381345A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310385625.3
申请日：2023-04-11
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： G01R27/02
摘要： 本发明提供一种薄膜电阻测量结构、测量方法以及测量系统，包括：第一电阻测量模块以及第二电阻测量模块；所述第一电阻测量模块包括第一旁路电阻测量单元及第二旁路电阻测量单元，用于得到旁路电阻的阻值；第二电阻测量模块包括M个串联设置的测量单元，用于得到旁路电阻和薄膜电阻的阻值；M为大于等于2的整数。本发明结构简单，测量步骤简约，不需要配置复杂的仪器进行测量。不需要在多个位置进行多次测量并进行数据分析，得到的薄膜电阻阻值准确，测量结构及测量方法适用环境广泛。
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公开(公告)号：CN115831941A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202310092034.7
申请日：2023-02-10
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/64 , H01L23/552 , H10N97/00
摘要： 本发明提供一种薄膜电阻结构，包括从下往上依次叠置的衬底、N型层、噪声抑制层、介质层及电阻层，其中，所述噪声抑制层包括在水平方向上交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层。本发明的薄膜电阻结构主要利用噪声抑制层中的交替排列的N型掺杂层及P型掺杂层形成的背靠背双极管结构，在PN结反向偏置时空间电荷区增大了电阻，从而抑制阱区的电势波动或衬底噪声对上层电阻信号传输的影响，提高器件性能的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114879799B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210475745.8
申请日：2022-04-29
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，包括：基准产生模块，用于根据温度系数修调值对正温度系数电压和负温度系数电压进行叠加并产生带隙基准电压；温度系数修调模块，与所述基准产生模块相连接，用于根据负温度系数电压转换的第一时钟对正温度系数电压转换的第二时钟进行计数，并根据计数结果得到当前温度下的温度系数理论值，再根据所述温度系数理论值对所述基准产生模块的温度系数进行修调得到所述温度系数修调值。通过本发明提供的带隙基准电路，解决了现有带隙基准电压因负温度系数电压存在二阶温度系数所导致的精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN115001422B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210838861.1
申请日：2022-07-18
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种预放大器，包括：第一输入管、第二输入管、第一负载电容、第二负载电容、第一开关、第二开关、第三开关及第四开关；第一输入管及第二输入管的栅端连接差分输入信号，第一输入管及第二输入管的源端接地，第一输入管的漏端通过串联的第一开关和第三开关连接电源电压，第二输入管的漏端通过串联的第二开关和第四开关连接电源电压，第一负载电容连接于第一开关与第三开关的连接节点和地之间，第二负载电容连接于第二开关与第四开关的连接节点和地之间，第一开关与第三开关的连接节点及第二开关与第四开关的连接节点作为预放大器的差分输出端。通过本发明提供的预放大器，解决了现有预放大器无法满足高速、低噪声、低功耗要求的问题。
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公开(公告)号：CN114783997B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210720818.5
申请日：2022-06-24
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种可控硅静电放电保护结构，包括：衬底、N阱、第一隔离槽、第二隔离槽、第三隔离槽、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第二P+注入区、第一ESD注入层和第二ESD注入层；N阱设置在衬底的表面区域；N阱从一端到另一端依次设置有第一隔离槽、第一ESD注入层、第二隔离槽、第二ESD注入层和第三隔离槽；第一ESD注入层的两侧分别与第一隔离槽和第二隔离槽连接，第二ESD注入层的两侧分别与第二隔离槽和第三隔离槽连接；第一ESD注入层的表面设置有第一N+注入区和第一P+注入区，第二ESD注入层的表面设置有第二N+注入区和第二P+注入区。本发明实施例能够有效提高静电放电防护的效果。
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公开(公告)号：CN114879799A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210475745.8
申请日：2022-04-29
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种带隙基准电路，包括：基准产生模块，用于根据温度系数修调值对正温度系数电压和负温度系数电压进行叠加并产生带隙基准电压；温度系数修调模块，与所述基准产生模块相连接，用于根据负温度系数电压转换的第一时钟对正温度系数电压转换的第二时钟进行计数，并根据计数结果得到当前温度下的温度系数理论值，再根据所述温度系数理论值对所述基准产生模块的温度系数进行修调得到所述温度系数修调值。通过本发明提供的带隙基准电路，解决了现有带隙基准电压因负温度系数电压存在二阶温度系数所导致的精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN112461900A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202110150684.3
申请日：2021-02-04
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明提供一种基于伪MOSFET的InGaAs晶圆几何因子表征方法及表征系统，表征方法包括：提供待表征试样，最上层为InGaAs层，构成伪MOS结构；基于第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫及第四衬垫测试方块电阻、测试区电阻，并基于测试结构及电流电压关系实现InGaAs基伪MOSFET的几何因子的表征。本发明通过测试方法过程中测试方式的设计，可以实现InGaAs基的伪MOSFET的几何因子表征，表征方式简单，表征系统结构简单。
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公开(公告)号：CN115001422A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210838861.1
申请日：2022-07-18
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种预放大器，包括：第一输入管、第二输入管、第一负载电容、第二负载电容、第一开关、第二开关、第三开关及第四开关；第一输入管及第二输入管的栅端连接差分输入信号，第一输入管及第二输入管的源端接地，第一输入管的漏端通过串联的第一开关和第三开关连接电源电压，第二输入管的漏端通过串联的第二开关和第四开关连接电源电压，第一负载电容连接于第一开关与第三开关的连接节点和地之间，第二负载电容连接于第二开关与第四开关的连接节点和地之间，第一开关与第三开关的连接节点及第二开关与第四开关的连接节点作为预放大器的差分输出端。通过本发明提供的预放大器，解决了现有预放大器无法满足高速、低噪声、低功耗要求的问题。
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公开(公告)号：CN114124039A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210103904.1
申请日：2022-01-28
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H03J1/00 , H04B10/291
摘要： 本发明提供一种频率峰值调谐电路及系统，所述频率峰值调谐电路包括：峰化电感、峰化电容及调谐开关管；其中，所述峰化电感的第一端连接所述峰化电容的第一端并接入工作电压，所述峰化电感的第二端连接所述调谐开关管的第一连接端并作为调谐接入端；所述调谐开关管的第二连接端连接所述峰化电容的第二端，控制端接入调谐栅压。通过本发明提供的频率峰值调谐电路及系统，解决了现有电感峰化技术无法实现放大器频率峰值可调的问题。
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公开(公告)号：CN113629052B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111184749.2
申请日：2021-10-12
申请人： 微龛(广州)半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/8249
摘要： 本发明提供一种触发电压可调的ESD保护器件及其制备方法，所述ESD保护结构包括：第一导电类型的深阱和功能器件层，所述功能器件层位于所述深阱内，并且所述功能器件层包括：第二导电类型的体区；第一导电类型的源极和漏极，所述源极上设置有隔离层；栅结构和开口部，所述开口部设置于所述体区内且位于所述栅结构与所述漏极之间；当静电正电流涌入时，所述体区的电势升高，使得在所述源极与所述体区之间达到开启阈值电压，引起寄生NPN双极晶体管导通；通过调节所述开口部的宽度，可以实现对触发电压的调制。本发明还提供一种触发电压可调的ESD保护器件的制备方法，其中所述功能器件层形成于深阱内，可以与实际CMOS三阱工艺相兼容。
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