公开(公告)号：CN1956990A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016806.9

申请日：2005-04-04

申请人： 德古萨公司

发明人： E·穆赫 ,  H·劳勒德 ,  H·克莱恩

IPC分类号： C07F7/18

CPC分类号： C07F7/188

摘要： 本发明涉及一种制备通式(I)的有机硅烷酯的特殊方法和含98wt％以上通式(I)的有机硅烷酯和小于2.0wt％的至少一种烃的组合物，并且涉及上述组合物作为前体以生产介电常数为1＜κ≤4的层或薄膜的用途。

公开(公告)号：CN100393618C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200580000929.3

申请日：2005-06-10

申请人： 德古萨公司

发明人： H·-P·波普 ,  R·尼科莱 ,  H·劳勒德 ,  J·朗

IPC分类号： C01B33/107 ,  C01G17/04 ,  B01J19/08

摘要： 本发明涉及一种纯化被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，和，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。本发明还涉及一种进行本发明方法的装置，其包括四氯化硅或四氯化锗的存储和汽化设备(4.1或5.1)，其通过连接管线与反应器(4.3或5.3)的入口连接，反应器具有控制设备(4.4或5.4)，用于产生介电受阻放电，反应器的出口通过导管，直接或间接通过至少一个另外的反应器(5.5)与冷凝设备(4.5或5.11)连接，冷凝设备的下游是收集容器(4.6或5.12)，其通过排出管线(4.6.2或5.12.1)与蒸馏设备(4.8或5.13)连接，如果适合，配有加料管线(4.6.1)至设备(4.1)。

公开(公告)号：CN100530560C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200480018730.9

申请日：2004-06-02

申请人： 德古萨公司

发明人： A·屈恩勒 ,  C·约斯特 ,  H·劳勒德 ,  C·伦特罗普 ,  R·范达姆 ,  K·蒂默 ,  H·菲舍尔

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

摘要： 本发明涉及制造用于半导体或电路的低k介电薄膜的方法，包括：为了制造该薄膜而使用下式的不完全缩合的多面体低聚倍半硅氧烷：[(RaXbSiO1.5)m(RcYdSiO)n]，其中：a，b＝0-1；c，d＝1；m+n≥3；a+b＝1；n，m≥1，R＝氢原子或烷基、环烷基、链烯基、环烯基、炔基、环炔基、芳基或杂芳基，在所有情况下是取代的或未取代的，X＝氧代、羟基、烷氧基、羧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、卤素、环氧、酯、氟烷基、异氰酸酯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、腈、氨基或膦类基团，或者含至少一个这种X型基团的R型取代基，Y＝羟基、烷氧基或O-SiZ1Z2Z3型取代基，其中Z1、Z2和Z3是氟烷基、烷氧基、甲硅烷氧基、环氧、酯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或腈类基团，或者R型的取代基，而且它们相同或不同，不仅R型的取代基是相同或不同的，而且X和Y型的取代基在所有情况下是相同或不同的，并且含有至少一个羟基作为Y型的取代基，并涉及这种方法制造的低k介电薄膜。

公开(公告)号：CN1918323A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200480041912.8

申请日：2004-12-22

申请人： 德古萨公司

发明人： E·米 ,  H·劳勒德 ,  H·克莱因 ,  J·蒙基维茨 ,  I·萨沃普洛斯

IPC分类号： C23C16/40 ,  B05D1/40 ,  H01L21/312

CPC分类号： C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31612

摘要： 本发明涉及一种制备含SiO2的芯片用绝缘层以及用于该目的的特定前体的应用。本发明还涉及可以这种方式获得的绝缘层，以及用这种绝缘层获得的芯片。

公开(公告)号：CN1842491A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000929.3

申请日：2005-06-10

申请人： 德古萨公司

发明人： H·-P·波普 ,  R·尼科莱 ,  H·劳勒德 ,  J·朗

IPC分类号： C01B33/107 ,  C01G17/04 ,  B01J19/08

CPC分类号： C01B33/10778 ,  B01J19/088 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/0093 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/0815 ,  B01J2219/083 ,  B01J2219/0841 ,  B01J2219/0847 ,  B01J2219/0849 ,  B01J2219/0896 ,  C01G17/04

摘要： 本发明涉及一种纯化被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，和，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。本发明还涉及一种进行本发明方法的装置，其包括四氯化硅或四氯化锗的存储和汽化设备(4.1或5.1)，其通过连接管线与反应器(4.3或5.3)的入口连接，反应器具有控制设备(4.4或5.4)，用于产生介电受阻放电，反应器的出口通过导管，直接或间接通过至少一个另外的反应器(5.5)与冷凝设备(4.5或5.11)连接，冷凝设备的下游是收集容器(4.6或5.12)，其通过排出管线(4.6.2或5.12.1)与蒸馏设备(4.8或5.13)连接，如果适合，配有加料管线(4.6.1)至设备(4.1)。

公开(公告)号：CN101748383A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910174943.5

申请日：2004-12-22

申请人： 德古萨公司

发明人： E·米 ,  H·劳勒德 ,  H·克莱因 ,  J·蒙基维茨 ,  I·萨沃普洛斯

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31612

摘要： 本发明涉及一种制备含SiO2的芯片用绝缘层以及用于该目的的特定前体的应用。本发明还涉及可以这种方式获得的绝缘层，以及用这种绝缘层获得的芯片。

公开(公告)号：CN101008079A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710003765.0

申请日：2007-01-24

申请人： 德古萨公司 ,  弗劳恩霍弗实用研究促进协会

发明人： R·桑南舍恩 ,  H·劳勒德 ,  H·J·霍恩 ,  S·勒伯 ,  N·施林杰

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/03921 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种从基于硅的前体开始以气相沉积在基材表面上制备硅层的方法，其特征在于，使用四氯化硅作为前体。此外，本发明还涉及应用本发明方法制得的薄层太阳能电池或结晶硅薄层太阳能电池。本发明还涉及四氯化硅在制备基材上的经气相沉积的层中的应用。

公开(公告)号：CN1816902A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480018730.9

申请日：2004-06-02

申请人： 德古萨公司

发明人： A·屈恩勒 ,  C·约斯特 ,  H·劳勒德 ,  C·伦特罗普 ,  R·范达姆 ,  K·蒂默 ,  H·菲舍尔

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

摘要： 本发明涉及制造用于半导体或电路的低k介电薄膜的方法，包括：为了制造该薄膜而使用下式的不完全缩合的多面体低聚倍半硅氧烷：[(RaXbSiO1.5)m(RcYdSiO)n]，其中：a，b＝0－1；c，d＝1；m+n≥3；a+b＝1；n，m≥1，R＝氢原子或烷基、环烷基、链烯基、环烯基、炔基、环炔基、芳基或杂芳基，在所有情况下是取代的或未取代的，X＝氧代、羟基、烷氧基、羧基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、卤素、环氧、酯、氟烷基、异氰酸酯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、腈、氨基或膦类基团，或者含至少一个这种X型基团的R型取代基，Y＝羟基、烷氧基或O－SiZ1Z2Z3型取代基，其中Z1、Z2和Z3是氟烷基、烷氧基、甲硅烷氧基、环氧、酯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或腈类基团，或者R型的取代基，而且它们相同或不同，不仅R型的取代基是相同或不同的，而且X和Y型的取代基在所有情况下是相同或不同的，并且含有至少一个羟基作为Y型的取代基，并涉及这种方法制造的低k介电薄膜。

公开(公告)号：CN200986099Y

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200520132156.1

申请日：2005-12-09

申请人： 德古萨公司

发明人： L·策赫 ,  M·库茨马 ,  H·劳勒德

IPC分类号： F17C5/00 ,  F17C7/00 ,  F17C13/06 ,  F17C13/00

CPC分类号： Y02E60/321

摘要： 本实用新型涉及用于填注和排空容器的设备和反应器，所述设备处于压力下并加有可燃性和/或侵蚀性气体，其特征在于具有上开合组件(1)、具有吹洗装置(3)的闸门容器(2)和下开合组件(4)；所述反应器装备有本实用新型的填注设备和相应的除灰闸门设备，并例如可用于同时制备四氯硅烷、三氯硅烷和氢。

公开(公告)号：CN200972455Y

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200520132157.6

申请日：2005-12-09

申请人： 德古萨公司

发明人： K·-D·克里格尔 ,  L·策赫 ,  H·劳勒德

IPC分类号： G01N21/27 ,  G01N1/10

摘要： 一种用于对高纯吸湿性液体中杂质取样及定量红外光谱测定的设备，其中所述高纯吸湿性液体纯度大于99.95重量％，所述设备的特征在于，该设备由不锈钢管(1)、两个相互平行并垂直于该不锈钢管轴的氟化钙圆盘(3)和两个三通活门(5，6)组成，所述不锈钢管(1)具有直线通路，该通路的两端各有一个法兰端口(2)；所述氟化钙圆盘(3)各通过圆环法兰罩(2a)固定，该各法兰部件(2，2a)相互以机械方式紧固，并在法兰部件(2，2a)以及氟化钙圆盘(3)之间各设置有至少一个密封件(4)；该三通活门(5，6)通过不锈钢导管(9)相互连接，活门(5)经不锈钢导管(8)与不锈钢管(1)相连，活门(6)经不锈钢导管(7)与不锈钢管(1)相连，并且活门(5)与连接位置(10)相连，活门(6)与连接位置(13)相连。