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公开(公告)号：CN109179487A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811278720.9
申请日：2018-10-30
申请人： 云南驰宏国际锗业有限公司
IPC分类号： C01G17/04
CPC分类号： C01G17/04
摘要： 本发明公开了一种利用废酸处理锗泥的方法，利用锗与三价铁在盐酸环境下发生化学反应产生四氯化锗原理，把锗泥和蒸馏废酸按一定液固比混合，在蒸馏釜中进行加热，控制反应温度，使锗泥中的锗与蒸馏废酸进行充分的化学反应，转化为四氯化锗，待反应完成后，通入氯气作为氧化剂把氯化亚铁再次氧化成为氯化铁，边通氯气边搅拌，控制反应温度，促进循环生成三价铁与锗反应，使锗泥中的锗尽可能的完全反应生产四氯化锗，并使四氯化锗快速从溶液中蒸馏出来。本发明可以实现锗精矿蒸馏废酸的循环利用，减少废酸产出，具有良好的环保效益，可以实现锗泥中锗与加工辅料的有效分离，实现锗资源的有效回收，具有良好的经济效益。
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公开(公告)号：CN106730964A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510832115.1
申请日：2015-11-25
申请人： 衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司
发明人： 陈建国
摘要： 本发明公开了一种生产高纯四氯化锗的蒸馏装置，包括蒸馏罐和冷凝罐，所述蒸馏罐一侧设置有进料口和第一进气口，所述蒸馏罐另一侧设置有第二进气口，所述蒸馏罐的顶端设置有出气口，所述蒸馏罐内轴心处竖直设置有螺旋轴，所述螺旋轴上设置有多个红外加热块，所述多个红外加热块沿竖直方向呈螺旋状均匀排列在所述螺旋轴的外壁，所述蒸馏罐的底部设置有红外加热套，所述红外加热套内设有温度检测器，所述蒸馏罐的顶部通过第一出气管和所述冷凝罐连接，所述冷凝罐内设置有螺旋冷凝管，所述冷凝罐上设置有第二出气管和第三出气管，所述第二出气管和所述第二进气口连接。本发明提供的生产高纯四氯化锗的蒸馏装置，加热速度快，控温效果好。
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公开(公告)号：CN101282906B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200680031388.5
申请日：2006-06-06
申请人： 赢创德固赛有限责任公司
CPC分类号： C01B33/10778 , B01J19/0093 , B01J19/088 , B01J2219/0002 , B01J2219/00033 , B01J2219/00788 , B01J2219/00822 , B01J2219/00853 , B01J2219/00867 , B01J2219/00869 , B01J2219/00871 , B01J2219/00873 , B01J2219/0093 , B01J2219/0807 , B01J2219/0828 , B01J2219/083 , B01J2219/0841 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , B01J2219/0896 , C01G17/04 , C01P2006/80
摘要： 本发明涉及用于制备高纯度四氯化硅或高纯度四氯化锗的反应器、设备和在其中进行的连续工业方法，其中所述制备是通过以冷等离子体处理被至少一种含氢化合物污染的待精制四氯化硅或四氯化锗并通过分馏从得到的处理过的相中分离精制的高纯度四氯化硅或四氯化锗来实现的，其中所述处理在等离子体反应器(4)中进行，在此等离子体反应器(4)中电介质(4.4)、高压电极(4.3)和接地的金属热交换器(4.2)的纵轴彼此平行取向并同时平行于重力的方向矢量取向。
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公开(公告)号：CN1842491A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000929.3
申请日：2005-06-10
申请人： 德古萨公司
IPC分类号： C01B33/107 , C01G17/04 , B01J19/08
CPC分类号： C01B33/10778 , B01J19/088 , B01J2219/00853 , B01J2219/0093 , B01J2219/0809 , B01J2219/0815 , B01J2219/083 , B01J2219/0841 , B01J2219/0847 , B01J2219/0849 , B01J2219/0896 , C01G17/04
摘要： 本发明涉及一种纯化被至少一种含氢化合物污染的四氯化硅或四氯化锗的方法，其中所要纯化的四氯化硅或四氯化锗，以目标方式，通过冷的等离子体来处理，和，所纯化的四氯化硅或四氯化锗从这样被处理的相中分离。本发明还涉及一种进行本发明方法的装置，其包括四氯化硅或四氯化锗的存储和汽化设备(4.1或5.1)，其通过连接管线与反应器(4.3或5.3)的入口连接，反应器具有控制设备(4.4或5.4)，用于产生介电受阻放电，反应器的出口通过导管，直接或间接通过至少一个另外的反应器(5.5)与冷凝设备(4.5或5.11)连接，冷凝设备的下游是收集容器(4.6或5.12)，其通过排出管线(4.6.2或5.12.1)与蒸馏设备(4.8或5.13)连接，如果适合，配有加料管线(4.6.1)至设备(4.1)。
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公开(公告)号：CN106458611A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580011807.8
申请日：2015-02-03
申请人： 赢创德固赛有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , B01J19/02 , B01J19/08 , C01G17/04
CPC分类号： C01B33/10778 , B01D3/10 , B01J19/02 , B01J19/088 , B01J2219/0254 , B01J2219/0847 , B01J2219/0849 , B01J2219/0888 , B01J2219/0894 , B01J2219/0896 , C01B33/107 , C01B33/10773 , C01G17/04
摘要： 本发明涉及三-和/或四硅化合物或者三-和/或四锗化合物的制备方法，其中使硅化合物的混合物或锗化合物的混合物暴露于非热等离子体，和使所得的相经受至少一次真空精馏和过滤。
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公开(公告)号：CN103648981B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280034284.5
申请日：2012-05-15
申请人： 赢创德固赛有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , C01G17/04
CPC分类号： C01B33/10773 , B01J19/12 , C01B33/107 , C01G17/04
摘要： 本发明涉及用于制造六氯乙硅烷或Ge2Cl6的一种方法，其特征在于，在含有SiCl4或GeCl4的气体中，a)借助频率为f的交流电压来生成非热等离子，并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲，其电压分量具有在上升边缘中的10V ns‑1至1kV ns‑1的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b，其中获得一种液相，以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge2Cl6。
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公开(公告)号：CN103648981A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034284.5
申请日：2012-05-15
申请人： 赢创德固赛有限公司
IPC分类号： C01B33/107 , C01G17/04
CPC分类号： C01B33/10773 , B01J19/12 , C01B33/107 , C01G17/04
摘要： 本发明涉及用于制造六氯乙硅烷或Ge2Cl6的一种方法，其特征在于，在含有SiCl4或GeCl4的气体中，a)借助频率为f的交流电压来生成非热等离子，并且其中在该等离子中耦合输入具有重复率为g的至少一个电磁脉冲，其电压分量具有在上升边缘中的10Vns-1至1kVns-1的边缘陡度和500ns至100µs的脉冲宽度b，其中获得一种液相，以及b)从该液相中获得纯的六氯乙硅烷或Ge2Cl6。
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公开(公告)号：CN109457124A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811386947.5
申请日：2018-11-20
申请人： 云南驰宏国际锗业有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种锗金属废料处理方法，该处理方法包括：(a)将锗金属废料烘干；(b)对烘干后的锗金属废料进行还原处理；(c)将还原处理的锗金属废料进行熔铸；(d)再将熔铸后的锗金属废料与氯气进行反应、冷凝回收得到四氯化锗。本发明处理方法能够提高锗金属的回收率，不会产生废液和废渣，并且无需对锗金属废料进行磨粉处理，操作简单，同时避免了粉末状锗金属废料会被氯气带出，以及杂质团包裹锗金属的现象。
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公开(公告)号：CN107324376A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710651542.9
申请日：2017-08-02
申请人： 昆明汇泉高纯半导材料有限公司
摘要： 本发明提供一种利用含锗废料生产二氧化锗的方法，其特征在于，包含以下步骤：将锗废料直接加入含三氯化铁的浓盐酸中，用氯气作为保护气采用精馏塔对四氯化锗进行蒸馏提纯，对提纯后的四氯化锗进行全封闭水解反应制取二氧化锗，对水解产物进行洗涤、烘干得到干燥的二氧化锗，蒸馏完成后，在回流液中加入锗废料即可继续生产，通过将锗废料加入含三氯化铁的浓盐酸中，然后加入氯气氧化蒸馏制取四氯化锗，蒸馏完成后再加入锗废料即可以继续生产四氯化锗，可以节约用酸和双氧水，同时蒸馏回流液可重复多次使用，不产生蒸馏废酸。
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