公开(公告)号：CN104380194B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201380031543.3

申请日：2013-04-15

Applicant: 布鲁尔科技公司

Inventor： 王玉宝 ,  M·A·霍基 ,  D·J·古尔瑞罗 ,  V·克里西那莫西 ,  R·C·考克斯

IPC: G03F1/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/26 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24802

Abstract: 提供了用于导向自组装图案化技术的组合物，其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法，其中可将自组装材料，例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硅硬掩模中性层，然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。

公开(公告)号：CN108231551A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710851861.4

申请日：2017-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02216 ,  C08G77/16 ,  C08G77/26 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08G77/80 ,  C09D183/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/0275

Abstract: 提供一种半导体装置及其制作方法，包含形成硅基树脂于基板上。在多种实施例中，硅基树脂包含硝基苯甲基。在一些实施例中，进行烘烤制程以交联硅基树脂。之后图案化交联的硅基树脂，并采用图案化的交联的硅基树脂作为蚀刻掩模，并蚀刻下方层。在多种例子中，以射线源照射交联的硅基树脂，使交联的硅基树脂解交联。在一些实施例中，采用有机溶液移除解交联的硅基树脂。

公开(公告)号：CN107429391A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580067146.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 李建恒 ,  J·F·莱曼 ,  雷新建 ,  R·N·弗蒂斯 ,  R·G·里德格韦 ,  W·R·恩特莱

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348

Abstract: 本文描述了组合物和使用所述组合物在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的方法。在一个方面，所述组合物包含选自硅氧烷、基于三甲硅烷基胺的化合物、有机氨基乙硅烷化合物和环状三硅氮烷化合物的至少一种化合物。

公开(公告)号：CN104103572B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201310113287.4

申请日：2013-04-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 周鸣

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/02348 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层。其中，多孔低k介质层的形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成介质层，形成所述介质层的反应气体包括主反应气体，所述主反应气体的化学结构式包括环状基团、硅原子、碳原子和氢原子，所述环状基团包括碳原子和氢原子；利用紫外线对所述介质进行处理，形成多孔低k介质层。采用本发明的方法，可以节省工艺步骤，降低工艺复杂度，提高形成多孔低k介质层的工艺效率。

公开(公告)号：CN103422069B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310378617.2

申请日：2010-12-23

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： M·K·哈斯 ,  R·N·弗尔蒂斯 ,  L·M·马茨

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02214 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348

Abstract: 本发明提供了一种具有优良的集成性能的低k前体。本发明的用于产生多孔有机硅玻璃薄膜的沉积包括：将气体试剂引入真空室中，该气体试剂包括一种有机硅烷或有机硅氧烷的前体及与该前体明显不同的致孔剂，其中所述致孔剂性质上是芳香性的；将能量施加于室中的气体试剂上以诱导气体试剂的反应而沉积薄膜，其包含所述致孔剂；和通过UV辐射除去基本上所有的有机物质以提供具有孔和介电常数小于2.6的多孔薄膜。

公开(公告)号：CN104979200A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410133524.8

申请日：2014-04-03

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 赵简 ,  王杭萍

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823437 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有器件区和外围区的衬底，器件区的衬底表面具有若干器件结构，相邻器件结构之间具有沟槽，衬底和器件结构表面具有停止层；采用致密化沉积工艺在停止层表面形成第一介质层；在第一介质层表面形成第二介质层；采用第一次抛光工艺对第二介质层表面进行平坦化，形成的第一抛光平面到器件结构顶部的停止层表面具有第一距离；采用第二次抛光工艺对第一抛光平面进行平坦化直至暴露出停止层表面为止，形成的第二抛光平面到外围区的第一介质层表面具有第二距离；采用第三次抛光工艺对第二抛光平面进行平坦化，直至暴露出器件结构顶部表面为止。所形成的半导体器件形貌良好、性能稳定。

公开(公告)号：CN102789975B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210246284.3

申请日：2009-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 刘俊军 ,  多雷尔·I·托玛 ,  埃里克·M·李

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法，描述了固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数是小于约4的值。该方法包括将低k电介质膜暴露于红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。

公开(公告)号：CN102246096B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200880132341.7

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金锺涉

IPC: G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供了一种用于形成蚀刻剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(A)有机硅烷聚合物以及(B)至少一种稳定剂。该硬掩模组合物在储存期间非常稳定，并且由于其优良的硬掩模特性，可以允许将良好的图案转移至材料层。

公开(公告)号：CN102113120B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN200980130189.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 韩琳 ,  P·曼德利克 ,  S·瓦格纳

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/4908 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31633 ,  H01L29/66765

Abstract: 薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。

公开(公告)号：CN104064590A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410066965.0

申请日：2014-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘 ,  牧山刚三

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28587 ,  H01L23/5222 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。