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公开(公告)号：CN109935607B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910263897.X
申请日：2019-04-03
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本公开涉及一种图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括：第一半导体材料层，在其中形成有光电二极管；位于所述第一半导体材料层之下的第二半导体材料层，在其中形成有用于所述光电二极管的浮置扩散区；位于所述第二半导体材料层之下的第三半导体材料层，在其中形成有用于所述像素单元的晶体管的有源区；第一电介质材料层，位于所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间；以及第二电介质材料层，位于所述第二半导体材料层和所述第三半导体材料层之间。本公开涉及形成图像传感器的方法。本公开既能防止浮置扩散区漏电，又能不减少光电二极管的面积。
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公开(公告)号：CN109273402B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811066835.1
申请日：2018-09-13
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明技术方案公开了一种金属阻挡层的制作方法，采用原子层沉积工艺制备所述金属阻挡层，分别在原子层沉积室内设置半导体衬底；并分别使含N的第一气相前驱体，含Ti的第二气相前驱体，含N的第三气相前驱体，含Zr的第四气相前驱体流向原子层沉积室内的半导体衬底，并在每次通入所述第一气相前驱体，第二气相前驱体，第三气相前驱体，第四气相前驱体后采用惰性气体吹扫所述原子层沉积室，以去除反应的剩余气体和反应副产物。所述方法提高了金属阻挡层的厚度均匀性。此外，本发明技术方案还提供一种金属互连结构及其制作方法，采用上述工艺制备金属互连结构的金属阻挡层。
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公开(公告)号：CN109065561A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811067385.8
申请日：2018-09-13
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14636 , H01L27/14683
摘要： 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有金属互连结构；多个光电转换块，位于所述金属互连层的表面，每个光电转换块包括堆叠的至少三层光电转换结构，每层光电转换结构均包括光电转换层以及连接结构，其中，不同的光电转换层经由所述连接结构和金属互连结构电连接至不同的逻辑器件。本发明方案可以形成更多的光生载流子，减少对半导体衬底的损伤，降低生产成本，减少工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN108807445B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810865024.1
申请日：2018-08-01
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面依次形成第一牺牲层以及第二牺牲层，其中，所述半导体衬底包括逻辑区域与像素区域；采用第一刻蚀工艺对所述第二牺牲层、第一牺牲层以及所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述逻辑区域与像素区域形成STI沟槽；在所述逻辑区域，采用第二刻蚀工艺对所述STI沟槽底部的半导体衬底进行二次刻蚀，以形成STI延伸沟槽；去除所述第二牺牲层；向所述STI延伸沟槽以及所述STI沟槽内填充介质材料。本发明方案有助于避免在后续采用刻蚀工艺形成栅极结构时，在像素区域发生多晶硅残留的问题，或者在逻辑区域发生多晶硅过刻蚀的问题，提高图像传感器的性能。
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公开(公告)号：CN109273402A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811066835.1
申请日：2018-09-13
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明技术方案公开了一种金属阻挡层的制作方法，采用原子层沉积工艺制备所述金属阻挡层，分别在原子层沉积室内设置半导体衬底；并分别使含N的第一气相前驱体，含Ti的第二气相前驱体，含N的第三气相前驱体，含Zr的第四气相前驱体流向原子层沉积室内的半导体衬底，并在每次通入所述第一气相前驱体，第二气相前驱体，第三气相前驱体，第四气相前驱体后采用惰性气体吹扫所述原子层沉积室，以去除反应的剩余气体和反应副产物。所述方法提高了金属阻挡层的厚度均匀性。此外，本发明技术方案还提供一种金属互连结构及其制作方法，采用上述工艺制备金属互连结构的金属阻挡层。
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公开(公告)号：CN109192699A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811040236.2
申请日：2018-09-07
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本公开涉及一种用于制造半导体装置的方法，其包括：在衬底之上形成电介质层，其中所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述电介质层之上形成牺牲层；对所述电介质层和所述牺牲层进行图案化以便形成开口；通过所述开口来对所述衬底进行刻蚀操作，从而在第一区域中形成第一沟槽，以及在第二区域中形成第二沟槽，其中第一沟槽在所述衬底中的深度小于第二沟槽在所述衬底中的深度；去除所述牺牲层。
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公开(公告)号：CN109056038A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811178509.X
申请日：2018-10-10
申请人： 德淮半导体有限公司
CPC分类号： C25D17/001 , C25D5/18 , C25D7/12
摘要： 一种晶圆的电镀装置及其电镀方法，所述电镀装置包括：电镀容器，所述电镀容器用于容纳电镀液；晶圆基座，所述晶圆基座设置于所述电镀容器内，所述晶圆基座用于固定晶圆，被固定的晶圆的表面浸入所述电镀液；阳极电极，所述阳极电极位于所述电镀容器且浸入所述电镀液内；外电源组件，所述外电源组件位于所述电镀容器外部，且所述外电源组件的第一极与所述阳极电极电连接，所述外电源组件的第二极与所述晶圆基座电连接。本发明方案可以提高金属层的电镀质量，进而提高半导体器件的品质。
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公开(公告)号：CN110112162A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910412522.5
申请日：2019-05-17
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：第一基底，所述第一基底包括相对的第一面和第二面，所述第一基底包括若干相互分立的像素区、以及位于相邻像素区之间的隔离区；位于所述第一基底第二面表面的第一反射结构；位于所述隔离区内的第二反射结构，且所述第二反射结构自所述第一面贯穿至所述第二面；位于所述第一反射结构表面的第二基底，所述第二基底包括相对的第三面和第四面，所述第三面和第一反射结构表面相接触，所述第二基底内具有若干相互分立的浮置扩散区；位于所述第二基底内的导电插塞，所述导电插塞自所述像素区贯穿至所述第二基底内，且所述导电插塞与所述浮置扩散区和像素区电连接。所述图像传感器的成像质量较好。
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公开(公告)号：CN109560098A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811425861.9
申请日：2018-11-27
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件以及单向导通结构；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有泄电互连结构和逻辑互连结构；堆叠的至少三层光电转换层，位于所述金属互连层的表面，不同的光电转换层经由所述逻辑互连结构电连接至不同的逻辑器件；衬垫结构，位于所述堆叠的至少三层光电转换层的表面，所述堆叠的至少三层光电转换层经由所述泄电互连结构和单向导通结构与所述衬垫结构电连接。本发明方案可以将光电转换层内的光生载流子导出，降低发生图像拖尾的可能性。
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公开(公告)号：CN109786416A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910226210.5
申请日：2019-03-25
申请人： 德淮半导体有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。所述背照式图像传感器包括衬底以及位于衬底表面且呈阵列排布的多个像素区域，所述像素区域包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的暗像素层、遮光层和感光像素层；所述暗像素层用于产生第一电信号，所述第一电信号用于校准所述感光像素层的暗电流；所述遮光层用于电性隔离所述暗像素层和所述感光像素层；所述感光像素层用于接收外界光信号并将其转换为第二电信号。本发明在实现对暗电流准确校准的同时，能够扩大感光像素区域的比例，提高了光电转换效率，改善了成像质量。
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