公开(公告)号：CN110112098A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910431041.9

申请日：2019-05-22

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 吴明 ,  林宗贤 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  赵培培

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 一种金属互连结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属互连介质层；对所述金属互连介质层进行刻蚀，以形成金属沟槽；在所述金属沟槽内形成Mn薄膜，所述Mn薄膜覆盖所述金属沟槽的侧壁和底部表面；在所述金属沟槽内填充金属材料，以形成金属互连线，所述金属材料的扩散系数大于Mn的扩散系数。本发明方案可以采用更少的Mn薄膜即可形成扩散阻挡层，从而降低了金属互连结构中的电阻率，尤其降低了金属互连线中的电阻率。

公开(公告)号：CN109837513A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910288270.X

申请日：2019-04-11

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 王大为 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/56

摘要： 本申请提供一种用于PVD设备的护罩结构以及包含所述护罩的PVD设备，所述护罩结构包括：外圈护罩；内圈护罩；绝缘连接件，所述绝缘连接件将所述内圈护罩固定连接于所述外圈护罩内，并使所述外圈护罩与内圈护罩电绝缘；第三供电器，所述第三供电器与所述内圈护罩电连接。所述的用于物理气相沉积设备的护罩结构以及包括所述护罩的PVD设备，提高了PVD工艺的沉积率，提高了靶材利用率，从而降低了工艺成本。

公开(公告)号：CN109786416A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910226210.5

申请日：2019-03-25

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 吴明 ,  林宗贤 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  熊建锋 ,  马亚辉

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。所述背照式图像传感器包括衬底以及位于衬底表面且呈阵列排布的多个像素区域，所述像素区域包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的暗像素层、遮光层和感光像素层；所述暗像素层用于产生第一电信号，所述第一电信号用于校准所述感光像素层的暗电流；所述遮光层用于电性隔离所述暗像素层和所述感光像素层；所述感光像素层用于接收外界光信号并将其转换为第二电信号。本发明在实现对暗电流准确校准的同时，能够扩大感光像素区域的比例，提高了光电转换效率，改善了成像质量。

公开(公告)号：CN109461670A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811322355.7

申请日：2018-11-08

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 郭松辉 ,  沈新林 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明技术方案公开了一种侦测晶圆键合缺陷的方法和装置，所述方法包括：将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；在所述压电元件的发射端输入第一信号；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；在键合过程中，侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号，以检测晶圆键合的缺陷及位置。本发明技术方案可以在键合过程中及时检测晶圆键合缺陷，减小晶圆键合的空洞率和缺陷率，降低晶圆键合后剥离的风险。

公开(公告)号：CN109385615A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811293698.5

申请日：2018-10-31

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 黄建 ,  鲁旭斋 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/48 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

摘要： 一种沉积设备及其沉积方法，所述沉积设备包括：沉积腔室；晶圆基座，位于所述沉积腔室内，用于放置晶圆；紫外光光源，位于所述沉积腔室内，且所述紫外光光源适于提供射向所述晶圆基座的紫外光；反应物输入管路，适于将反应物引入至所述沉积腔室，以在所述晶圆上反应形成沉积层。本发明方案有助于提高器件的品质，降低生产成本。

公开(公告)号：CN109326619A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811150266.9

申请日：2018-09-29

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 吴明 ,  吴孝哲 ,  林宗贤 ,  吴龙江 ,  熊建锋 ,  薛超

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于形成图像传感器的方法及图像传感器，通过在第一衬底、第二衬底之间形成至少两个的感光层，感光层吸收不同波长的光并激发光电子，并对应光电子产生的区域进行信号收集并处理，从而省去滤色镜结构，简化工艺流程。

公开(公告)号：CN109285853A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811318820.X

申请日：2018-11-07

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 吴明 ,  吴孝哲 ,  林宗贤 ,  吴龙江 ,  熊建锋 ,  杨基磊

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种图像传感器的形成方法，通过将光电二极管布线与二极管结构连接，通过外部电路控制二极管结构将光电二极管内的光生载流子及时导出，解决图像拖尾问题。该图像传感器的形成方法包括以下步骤：提供三个或三个以上垂直堆叠的光电二极管；形成与其中一个光电二极管耦合的二极管结构，二极管结构包括沿垂直方向邻接设置的第一掺杂区域和具有与第一掺杂区域相反掺杂类型的第二掺杂区域，其中，光电二极管耦合至第一掺杂区域；形成与第二掺杂区域耦合的金属互连结构。

公开(公告)号：CN109256330A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201811034374.X

申请日：2018-09-06

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  G03F7/16

摘要： 本发明技术方案公开了一种光刻方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团和/或负电荷；对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源适于产生酸性基团和/或正电荷；在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。本发明技术方案可以改善光刻效果，并且降低工艺复杂度。

公开(公告)号：CN109244095A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811067258.8

申请日：2018-09-13

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 吴明 ,  吴孝哲 ,  林宗贤 ,  吴龙江 ,  熊建锋 ,  薛超

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 一种BSI图像传感器及其形成方法，所述BSI图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底的正面形成有逻辑器件；多个光电转换块，位于所述半导体衬底的背面，每个光电转换块包括堆叠的至少三层光电转换结构，每层光电转换结构均包括光电转换层以及连接结构，其中，不同的光电转换层经由所述连接结构电连接至不同的逻辑器件。本发明方案可以形成更多的光生载流子，减少对半导体衬底的损伤，降低生产成本，减少工艺复杂度。

公开(公告)号：CN109166799A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811032687.1

申请日：2018-09-05

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 闫浩 ,  吴孝哲 ,  林宗贤 ,  吴龙江 ,  熊建锋 ,  李国强

IPC分类号： H01L21/324

摘要： 一种硅片的制备方法，所述硅片的制备方法包括：在还原气氛下对硅片进行第一步退火，所述第一步退火的过程中，退火温度从起始温度上升至第一预设温度；在所述还原气氛下对所述硅片进行第二步退火，所述第二步退火的过程中，退火温度保持为所述第一预设温度；其中，所述还原气氛为包含有还原性气体的气氛。本发明方案可以有效地减少所述硅片内的空洞型微缺陷，以及对硅片内的晶格缺陷进行更有效的修复，从而减小硅片表面的雾都值，提高硅片的品质。