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公开(公告)号：CN101688954B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200880021368.9
申请日：2008-06-16
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G02B6/36
CPC分类号： H04B10/803
摘要： 一种光学互连(100、300、400、500、600)具有：多个光学数据源(125、130、135、525、530、535)；多个光学数据接收器(155、160、165、555、560、565)；衍射光学元件(186、320、440、670)，其被配置为将来自至少一个对准光学源(170、360、460、625)的光学束(176、335、435、650)衍射到至少一个传感器(370、375、470、475、640、645)；以及对准元件，其被配置为根据来自所述传感器(370、375、470、475、640、645)的读数将来自所述光学数据源(125、130、135、525、530、535)的光学束(120、345、445、570、650)对准到所述光学数据接收器(155、160、165、555、560、565)。
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公开(公告)号：CN101688954A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021368.9
申请日：2008-06-16
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G02B6/36
CPC分类号： H04B10/803
摘要： 一种光学互连(100、300、400、500、600)具有：多个光学数据源(125、130、135、525、530、535)；多个光学数据接收器(155、160、165、555、560、565)；衍射光学元件(186、320、440、670)，其被配置为将来自至少一个对准光学源(170、360、460、625)的光学束(176、335、435、650)衍射到至少一个传感器(370、375、470、475、640、645)；以及对准元件，其被配置为根据来自所述传感器(370、375、470、475、640、645)的读数将来自所述光学数据源(125、130、135、525、530、535)的光学束(120、345、445、570、650)对准到所述光学数据接收器(155、160、165、555、560、565)。
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公开(公告)号：CN101103489A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046906.6
申请日：2005-11-18
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： H01Q15/0086 , G02F1/0126 , G02F1/29 , H01Q3/44 , Y10T29/4902 , Y10T29/49798
摘要： 本发明描述了一种用于控制入射电磁辐射(110)的传播的装置(100)，包括复合材料(102)，复合材料具有相对于入射电磁辐射(110)的波长维度小的电磁反应单元(106)。至少一个电磁反应单元(106)的电容和电感特性中的至少一个被时间地控制以允许时间地控制入射电磁辐射(110)在传播通过所述复合材料(106)时所遇到的相关有效折射系数。
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公开(公告)号：CN101027818A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580029042.7
申请日：2005-08-30
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： H01Q3/44 , H01Q15/0086
摘要： 描述了一种复合材料(100)和相关的方法，该复合材料(100)配置为对工作波长的入射辐射(101)表现出负有效介电常数和/或负有效磁导率，该复合材料由与工作波长有关的小尺寸的电磁活性单元(106)排列而成。每个单元(106)包括由外部提供功率的增益元件(110)，用于增强所述谐振单元(106)对所述波长的入射辐射(101)的谐振响应。
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公开(公告)号：CN101103489B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580046906.6
申请日：2005-11-18
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： H01Q15/0086 , G02F1/0126 , G02F1/29 , H01Q3/44 , Y10T29/4902 , Y10T29/49798
摘要： 本发明描述了一种用于控制入射电磁辐射(110)的传播的装置(100)，包括复合材料(102)，复合材料具有相对于入射电磁辐射(110)的波长维度小的电磁反应单元(106)。至少一个电磁反应单元(106)的电容和电感特性中的至少一个被时间地控制以允许时间地控制入射电磁辐射(110)在传播通过所述复合材料(106)时所遇到的相关有效折射系数。
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公开(公告)号：CN101647117A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010559.5
申请日：2008-03-21
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C13/0023 , G11C13/0033 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , G11C2213/81 , H01L2924/0002 , Y10S977/762 , H01L2924/00
摘要： 本发明的各种实施例针对三维交叉杆阵列(500、1000)。在本发明的一个方面，三维交叉杆阵列(1000)包含多个交叉杆阵列(1102-1104)、第一多路分离器(1106)、第二多路分离器(1108)和第三多路分离器(1110)。每个交叉杆阵列包含第一层纳米线(702-704)、叠加在第一层纳米线上的第二层纳米线(706-708)和叠加在第二层纳米线上的第三层纳米线(710-712)。第一多路分离器配置成寻址每个交叉杆阵列的第一层纳米线中的纳米线，第二多路分离器配置成寻址每个交叉杆阵列的第二层纳米线中的纳米线，并且第三多路分离器配置成向每个交叉杆阵列的第三层纳米线中的纳米线提供信号。
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公开(公告)号：CN101360981A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680051251.6
申请日：2006-07-21
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： G01J3/44 , G01J3/02 , G01J3/0227 , G01J3/0256 , G01J3/18 , G01N21/65 , G01N21/658 , G02B5/1809
摘要： 披露了一种包括亚波长共振光栅滤波器(508)的拉曼光谱仪系统(600)以及一种具有集成的亚波长共振光栅滤波器的光电二极管。该共振光栅滤波器(608)包括衍射元件(104)阵列，该阵列具有比待滤波的辐射的波长小的周期性间隔且形成于波导层(110)上。可抑制特定波长的辐射的所述滤波器(608)可以置于拉曼样品和拉曼探测器(602)之间，从而滤除从样品弹性散射的辐射，同时透射其它波长。通过相对于入射在滤波器上的辐射而倾斜该滤波器(608)，可以选择该滤波器所抑制的波长。
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公开(公告)号：CN101351846B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200680050237.4
申请日：2006-11-01
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G11C8/10
CPC分类号： G11C13/02 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C11/54 , G11C13/0023 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/10 , H01L27/285 , Y10S977/762 , Y10S977/932
摘要： 本发明的各个实施例涉及对接线和地址线的交叉杆阵列设计，而不管电部件和线之间的未对准。在一个实施例中，纳米级装置可以由两个或更多个线(1501-1511)的第一层和覆盖第一层的两个或更多个地址线(1512-1523)的第二层构成。纳米级装置还可以包括位于第一层和第二层之间的中间层(704-804)。可以在中间层内制造两个或更多个冗余电部件图案(1400)，使得所述电部件图案中的一个或多个与第一和第二层对准。
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公开(公告)号：CN101375209A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200680029255.4
申请日：2006-07-01
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： G03F7/7035 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： 接触光刻设备100，220、系统200和方法300利用形变320来促进图案转移300。设备100，220、系统200和方法300包括间隔体120，226，在与所述间隔体120，226相互接触时，所述间隔体120，226提供光刻元件，如掩模110，228a，222和衬底130，228b，224的间隔平行且靠近的取向310。所述掩模110，228a，222、所述衬底130，228b，224和所述间隔体120，226之一或多者是可形变的，从而其形变320促进了图案转移300。
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公开(公告)号：CN101351846A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200680050237.4
申请日：2006-11-01
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： G11C8/10
CPC分类号： G11C13/02 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C11/54 , G11C13/0023 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/10 , H01L27/285 , Y10S977/762 , Y10S977/932
摘要： 本发明的各个实施例涉及对接线和地址线的交叉杆阵列设计，而不管电部件和线之间的未对准。在一个实施例中，纳米级装置可以由两个或更多个线(1501－1511)的第一层和覆盖第一层的两个或更多个地址线(1512－1523)的第二层构成。纳米级装置还可以包括位于第一层和第二层之间的中间层(704－804)。可以在中间层内制造两个或更多个冗余电部件图案(1400)，使得所述电部件图案中的一个或多个与第一和第二层对准。
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