公开(公告)号：CN106716536B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580046679.0

申请日：2015-09-01

Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司

Inventor： M.拉瑟

IPC: G11C7/10 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/20 ,  G11C7/1006 ,  G11C7/1009 ,  G11C7/1087 ,  G11C7/20 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5671 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3427

Abstract: 一种数据存储设备可以包括存储器管芯。所述存储器管芯包括存储器和锁存器。一种方法可以包括：接收与将信息写入所述存储器中的写入操作相对应的命令。所述方法可以进一步包括：在于所述存储器管芯处接收所述信息之前，将位集加载到所述锁存器中。所述位集至少包括具有第一值的第一位以及具有与所述第一值不同的第二值的第二位。所述方法进一步包括：在所述存储器管芯处接收所述信息以及用所述信息在所述锁存器处覆写所述位集的至少一部分。

公开(公告)号：CN108886051A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021358.4

申请日：2017-03-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： P·凡蒂尼

IPC: H01L27/24

CPC classification number: H01L27/249 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换，所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温，从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应，存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。

公开(公告)号：CN108806745A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810159641.X

申请日：2018-02-26

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金龙珠 ,  金东建 ,  洪道善

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C29/52 ,  G06F3/0659 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2211/4062

Abstract: 一种用于操作存储系统的方法，包括：从存储器件中读取数据；检测和校正数据的错误；当数据的错误等于或大于阈值时，将与存储器件中从其读取数据的存储单元相对应的地址确定为需要重写的地址；以及重写与需要重写的地址相对应的存储单元的数据。

公开(公告)号：CN108701100A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014585.4

申请日：2017-03-06

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·卡瓦米 ,  R·孙达拉姆 ,  P·S·达姆勒 ,  D·里佛斯 ,  J·M·沃克

IPC: G06F13/16

CPC classification number: G11C13/0033 ,  G06F13/1668 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069

Abstract: 公开和描述了用于校正非易失性存储器设备中的阈值电压漂移的装置、系统和方法。在一个示例中，通过基于时间的漂移补偿方案或基于干扰的漂移补偿方案生成补偿的分界电压，并且使用补偿的电压阈值来执行对非易失性存储器的读取和写入操作。

公开(公告)号：CN108630273A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810213312.9

申请日：2018-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴贤国 ,  鲜于桢 ,  尹治元

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/71 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004

Abstract: 本发明提供了一种存储器件的操作方法。使用统计模型来确定存储单元的可变电阻器的电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn。基于电阻Rdyn和该电阻Rdyn的变化ΔRdyn来确定可变电阻器的平均电阻Rdyn_avg和β值。然后，使用平均电阻Rdyn_avg和β值来确定连接在存储单元与用于产生电源电压VPGM的电源发生器之间的插入电阻器的电阻Ra。

公开(公告)号：CN108461518A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711327488.9

申请日：2017-12-13

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 李宰演

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/22 ,  G11C17/18 ,  G11C17/16

CPC classification number: H01L23/5256 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0033 ,  G11C17/165 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1633

Abstract: 在一个实施例中，交叉点阵列器件包括设置在第一导电线与第二导电线交叠的交叉区域中的柱状结构。柱状结构包括设置在第一导电线与第二导电线之间的电阻变化材料层。柱状结构包括一个或更多个导电熔丝材料层，每个导电熔丝材料层设置在第一导电线或第二导电线与电阻变化材料层之间。

公开(公告)号：CN108292922A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680069664.0

申请日：2016-11-21

Applicant: 诺基亚技术有限公司

Inventor： M·阿斯特莱

IPC: H03K17/96 ,  G01N27/04 ,  G01J5/20 ,  G01R33/09 ,  G01F23/24 ,  G05D23/24 ,  G06F3/045 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L27/146 ,  H04N5/378

CPC classification number: H03K17/9643 ,  G01J5/20 ,  G01R33/0041 ,  G01R33/09 ,  G06F3/045 ,  G11C7/14 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C2213/77 ,  H04N5/33

Abstract: 一种装置，包括：电阻元件(250)的无源阵列(202)；行选择器开关(204)和列选择器开关(206)，其被配置为分别将电阻元件的特定行和特定列连接到地；以及反馈列选择器开关(208)，其被配置为除了通过列选择器开关连接到地的电阻元件的特定列之外，将电阻元件的所有列连接到电压源，该电压源被配置为向电阻元件的列施加电压，该电压与在通过行和列选择器开关连接成电路的电阻元件上下降的电压相匹配；并且还包括：行选择器开关补偿电路(220)、列选择器开关补偿电路(240)和/或反馈列选择器开关补偿电路(260)，其分别被配置为在对应的虚拟元件上施加与对应的选择器开关上下降的电压相等且相反的电压。

公开(公告)号：CN107680631A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710297322.0

申请日：2017-04-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： E·卡尔维蒂 ,  M·卡里希米 ,  M·帕索蒂

IPC: G11C13/00 ,  G11C29/12 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C16/24 ,  G11C7/065 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/28 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/349 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0066 ,  G11C11/5678 ,  G11C29/12005

Abstract: 本公开涉及带有余量电流相加的PCM存储器以及相关方法。例如，一种差分PCM存储器可以包括第一和第二PCM元件以及感测放大器电路，该感测放大器电路被配置成用于在感测操作期间对分别通过该第一和第二PCM元件的第一与第二感测电流之间的差异进行感测。该差分PCM存储器可以包括：第一余量电流分支，该第一余量电流分支与该第一PCM元件并联耦合并且被配置成用于选择性地将第一余量电流添加到该第一感测电流；以及第二余量电流分支，该第二余量电流分支与该第二PCM元件并联耦合并且被配置成用于选择性地将第二余量电流添加到该第二感测电流。

公开(公告)号：CN105340015B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201480034689.8

申请日：2014-06-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 埃尔南·A·卡斯特罗 ,  凯丽·迪安·泰德罗 ,  杰克·镇浩·吴

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/10

CPC classification number: G06F13/1605 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0635 ,  G06F3/0683 ,  G06F12/0653 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/4022 ,  G06F2212/1008 ,  G06F2212/1041 ,  G11C5/025 ,  G11C8/10 ,  G11C8/12 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0033 ,  G11C2213/71

Abstract: 在一个实施例中，公开了一种例如存储器装置的设备。所述设备包含多个存储器拼片和选择电路。每一存储器拼片具有在多个数字线导体与多个存取线导体的交叉点处的存储组件阵列。所述选择电路包含线路驱动器，其基于到存储器拼片的存储组件的对应数字线导体和对应存取线导体来选择所述存储组件。所述选择电路可以先用连续方式选择存储器拼片的两个或更多个存储组件，然后选择不同存储器拼片的所述存储组件。

公开(公告)号：CN106504785A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201510788683.6

申请日：2015-11-17

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 柯文昇 ,  苏资翔 ,  吴昭谊 ,  李祥邦 ,  张孟凡

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0092

Abstract: 本发明提供了一种操作存储装置的方法，该存储装置包括一存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个可编程电阻存储元件。通过施加多个编程脉冲至存储单元，以于N个电阻值指定范围中建立电阻值位准，借此编程阵列中的该些存储单元以存储数据，其中各电阻值指定范围对应于一特定数据值。对阵列中的该些存储单元执行电阻值飘移复原处理，其包括：施加具有一脉冲波形的复原脉冲至一组编程存储单元，其中该组编程存储单元中的存储单元被施加具有该脉冲波形的复原脉冲，使其在二或多个电阻值指定范围中具有电阻值位准。