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公开(公告)号：CN102405693A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200980158820.0
申请日：2009-03-25
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： A·M·布拉特科夫斯基 , V·奥西波夫 , G·W·布尔沃德-霍伊 , L·K·木山
CPC分类号： H01L23/467 , F28F3/02 , H01L23/367 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种栅格散热器(400)包括基座(420)、多个相交的散热片(410，415)和由所述多个相交的散热片形成的多个通道(405)。每个通道(405)在栅格散热器(400)的输入侧接受冷却空气(1605)并且将冷却空气(1605)引导到所述栅格散热器(400)输出侧的出口。
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公开(公告)号：CN102132190A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200880130883.0
申请日：2008-08-26
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： S·V·马泰 , A·M·布拉特科夫斯基 , W·张 , S-Y·王
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , G02B6/107 , G02B26/001 , H01S5/021 , H01S5/041 , H01S5/0607 , H01S5/30 , H03F17/00 , Y10T29/49147
摘要： 一种具有可调谐纳米线的谐振腔。所述谐振腔包括衬底（114/116/230/330/430/530/630）。衬底能够耦合到光学谐振器结构（110/210/310/410/510/610）。谐振腔还包括形成在该衬底上的多个纳米线（120/220/320/420/520/620）。所述多个纳米线响应于能量的施加而被致动（122/222/322/422/522/623）。
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公开(公告)号：CN101268593A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034490.0
申请日：2006-07-21
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： A·M·布拉特科夫斯基 , R·G·博索莱尔 , S·-Y·王
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B1/007 , H01S5/041 , H01S5/105 , H01S5/18394
摘要： 一种电磁谐振装置(300)，其包括输入反射器(310)、输出反射器(320)和布置在输入反射器(310)和输出反射器(320)之间的周期性电介质(200)(PDM)。将输入反射器(310)和输出反射器(320)设置成反射具有所关心波长的辐射。PDM包括具有在第一表面(280)和第二表面(290)之间的介电周期性的周期性结构。将介电周期性设置成具有对于所关心波长的负折射。由输入反射器(310)将第一辐射(410)向PDM的第一表面(280)反射，穿过PDM，并作为第二辐射(420)聚焦到输出反射器(320)上。由输出反射器(320)将第二辐射(420)向PDM的第二表面(290)反射，穿过PDM并作为第一辐射(410)聚焦到输入反射器(310)上。
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公开(公告)号：CN1985331A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580024044.7
申请日：2005-05-17
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： Y·陈 , X·-A·张 , A·M·布拉特科夫斯基 , S·R·威廉斯
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0019 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C2213/14 , G11C2213/56 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0064 , H01L51/0067 , H01L51/0078 , H01L51/0591 , H01L51/0595
摘要： 本发明提供了一种物质组合物，其通过分子间电荷转移或者分子内电荷转移或者分子(12)和电极(14、16；14’、16’)之间的电荷转移使其电性质变化，其中所述电荷转移由电场诱导。
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公开(公告)号：CN102414729A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200980158976.9
申请日：2009-04-28
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： A·M·布拉特科夫斯基 , L·H·蒂伦
CPC分类号： B41M3/00 , B42D25/29 , B42D25/328 , B42D25/382 , B42D2035/14 , B42D2035/34 , G02B5/18 , G03H1/0011 , G03H1/02 , G03H1/0244 , G03H1/0256 , G03H1/08 , G03H2001/0016 , G03H2001/0284 , G03H2001/085 , G03H2001/2244 , G03H2222/16 , G03H2240/42 , G03H2250/10 , G03H2250/34 , G07D7/0032 , G09F3/0294 , G09F2003/0213 , Y10T29/49826
摘要： 本发明公开一种隐蔽标签结构，包括具有用于产生预定图样的深度分布的三维衍射光学元件层(100)，其中所述衍射光学元件层(100)的顶表面的不同部分相对于所述衍射光学元件层(100)的底表面具有至少两个不同的深度，其中所述深度分布横跨所述衍射光学元件层(100)的所述顶表面的两个维度，并且其中所述顶表面根据预定义图样反射光；以及位于所述衍射光学元件层(100)的所述顶表面上方的涂覆层(108)，其中所述涂覆层(108)对于至少一个波长的光不透明。
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公开(公告)号：CN101103489B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580046906.6
申请日：2005-11-18
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： H01Q15/0086 , G02F1/0126 , G02F1/29 , H01Q3/44 , Y10T29/4902 , Y10T29/49798
摘要： 本发明描述了一种用于控制入射电磁辐射(110)的传播的装置(100)，包括复合材料(102)，复合材料具有相对于入射电磁辐射(110)的波长维度小的电磁反应单元(106)。至少一个电磁反应单元(106)的电容和电感特性中的至少一个被时间地控制以允许时间地控制入射电磁辐射(110)在传播通过所述复合材料(106)时所遇到的相关有效折射系数。
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公开(公告)号：CN102132190B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN200880130883.0
申请日：2008-08-26
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： S·V·马泰 , A·M·布拉特科夫斯基 , W·张 , S-Y·王
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , G02B6/107 , G02B26/001 , H01S5/021 , H01S5/041 , H01S5/0607 , H01S5/30 , H03F17/00 , Y10T29/49147
摘要： 一种具有可调谐纳米线的谐振腔。所述谐振腔包括衬底（114/116/230/330/430/530/630）。衬底能够耦合到光学谐振器结构（110/210/310/410/510/610）。谐振腔还包括形成在该衬底上的多个纳米线（120/220/320/420/520/620）。所述多个纳米线响应于能量的施加而被致动（122/222/322/422/522/623）。
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公开(公告)号：CN102405536A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200980158821.5
申请日：2009-03-23
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： A·M·布拉特科夫斯基 , V·奥西波夫
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/34 , H01L33/0012
摘要： 一种间接带隙半导体发光二极管(401)。所述间接带隙半导体发光二极管(401)包括多个部分，所述多个部分包括间接带隙半导体构成的p掺杂部分(412)、间接带隙半导体构成的本征部分(414)、以及间接带隙半导体构成的n掺杂部分(416)。所述本征部分(414)安置在所述p掺杂部分(412)与所述n掺杂部分(414)之间，并与所述p掺杂部分(412)形成p-i结(430)且与所述n掺杂部分(416)形成i-n结(434)。所述p-i结(430)和所述i-n结(434)配置为，当所述间接带隙半导体发光二极管(401)反向偏置时，促进所述本征部分(414)中至少一个热电子-空穴等离子体的形成，并且配置为促进热电子与空穴的复合而产生的发光。
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公开(公告)号：CN101268593B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200680034490.0
申请日：2006-07-21
申请人： 惠普开发有限公司
发明人： A·M·布拉特科夫斯基 , R·G·博索莱尔 , S·-Y·王
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B1/007 , H01S5/041 , H01S5/105 , H01S5/18394
摘要： 一种电磁谐振装置(300)，其包括输入反射器(310)、输出反射器(320)和布置在输入反射器(310)和输出反射器(320)之间的周期性电介质(200)(PDM)。将输入反射器(310)和输出反射器(320)设置成反射具有所关心波长的辐射。PDM包括具有在第一表面(280)和第二表面(290)之间的介电周期性的周期性结构。将介电周期性设置成具有对于所关心波长的负折射。由输入反射器(310)将第一辐射(410)向PDM的第一表面(280)反射，穿过PDM，并作为第二辐射(420)聚焦到输出反射器(320)上。由输出反射器(320)将第二辐射(420)向PDM的第二表面(290)反射，穿过PDM并作为第一辐射(410)聚焦到输入反射器(310)上。
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