公开(公告)号：CN119586341A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202180104986.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体(鲁塞)公司

Inventor： V·德拉·玛卡 ,  F·梅鲁尔 ,  F·拉罗萨 ,  S·尼埃尔 ,  A·雷尼耶 ,  A·康特 ,  N·米里迪

IPC: H10B41/35 ,  H01L21/28 ,  H10D64/27 ,  H10D30/68 ,  G11C16/04

Abstract: 本公开涉及一种存储器单元(1)和一种擦除存储器单元(1)的方法。存储器单元包括第一导电类型的掺杂阱(100)和晶体管(T)。晶体管(T)包括与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂的第一区域(106)，第一掺杂区域在掺杂阱(100)中延伸；在掺杂阱(100)中延伸的第二导电类型的掩埋掺杂沟道(118)；以及在掩埋掺杂沟道(118)上方位于掺杂阱(100)上的栅极堆叠(108)。栅极堆叠(108)包括适于俘获电荷的第一层(110)、位于第一层上的第二绝缘层(112)和位于第二层上的第三导电层(114)。