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公开(公告)号：CN107545925A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611201116.7
申请日：2016-12-22
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于长时间常数电路级的读取电路和相应的读取方法。一种用于电荷保持电路级的读取电路，配备有：连接在第一偏置端子和浮置节点之间的存储电容器；以及连接在浮置节点和参考端子之间的放电元件，用于通过经由相应电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷进行放电。读取电路还具有：运算放大器，其具有连接到浮置节点并接收读取电压的第一输入端子、接收参考电压的第二输入端子和在其上提供输出电压的输出端子，输出电压的值取决于读取电压和参考电压之间的比较并且指示存储电容器中的剩余电荷。在对用于提供输出电压的参考电压与读取电压之间进行比较之前，移位级移位浮置节点的读取电压的值。
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公开(公告)号：CN107544237B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201611228455.4
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC: G04F13/00
Abstract: 一种测试电路(19)，包括用于测量时间间隔的电荷保持电路级(1)，电荷保持电路级设置有：存储电容器(2)，连接在第一偏置端子(3a)与浮置节点(4)之间；以及放电元件(6)，连接在浮置节点(4)与参考端子(7)之间，用于通过穿过对应的电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷放电。测试电路设想：偏置级(24)，用于将浮置节点偏置处于读取电压(VL)；检测级(30，32)，用于检测读取电压的偏置值(VL(t0))；以及积分器级(20)，具有耦合至浮置节点的测试电容器(28)，用于实现对放电元件中的放电电流(iL)与保持恒定处于偏置值的读取电压的积分运算，以及确定根据积分运算变化的放电元件的有效电阻值(RL')。
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公开(公告)号：CN107544237A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611228455.4
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC: G04F13/00
Abstract: 一种测试电路(19)，包括用于测量时间间隔的电荷保持电路级(1)，电荷保持电路级设置有：存储电容器(2)，连接在第一偏置端子(3a)与浮置节点(4)之间；以及放电元件(6)，连接在浮置节点(4)与参考端子(7)之间，用于通过穿过对应的电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷放电。测试电路设想：偏置级(24)，用于将浮置节点偏置处于读取电压(VL)；检测级(30，32)，用于检测读取电压的偏置值(VL(t0))；以及积分器级(20)，具有耦合至浮置节点的测试电容器(28)，用于实现对放电元件中的放电电流(iL)与保持恒定处于偏置值的读取电压的积分运算，以及确定根据积分运算变化的放电元件的有效电阻值(RL')。
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公开(公告)号：CN119586341A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202180104986.5
申请日：2021-12-15
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 本公开涉及一种存储器单元(1)和一种擦除存储器单元(1)的方法。存储器单元包括第一导电类型的掺杂阱(100)和晶体管(T)。晶体管(T)包括与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂的第一区域(106)，第一掺杂区域在掺杂阱(100)中延伸；在掺杂阱(100)中延伸的第二导电类型的掩埋掺杂沟道(118)；以及在掩埋掺杂沟道(118)上方位于掺杂阱(100)上的栅极堆叠(108)。栅极堆叠(108)包括适于俘获电荷的第一层(110)、位于第一层上的第二绝缘层(112)和位于第二层上的第三导电层(114)。
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公开(公告)号：CN107545925B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201611201116.7
申请日：2016-12-22
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于长时间常数电路级的读取电路和相应的读取方法。一种用于电荷保持电路级的读取电路，配备有：连接在第一偏置端子和浮置节点之间的存储电容器；以及连接在浮置节点和参考端子之间的放电元件，用于通过经由相应电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷进行放电。读取电路还具有：运算放大器，其具有连接到浮置节点并接收读取电压的第一输入端子、接收参考电压的第二输入端子和在其上提供输出电压的输出端子，输出电压的值取决于读取电压和参考电压之间的比较并且指示存储电容器中的剩余电荷。在对用于提供输出电压的参考电压与读取电压之间进行比较之前，移位级移位浮置节点的读取电压的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111611627B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010108632.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 本文描述了具有晶体管的物理不可克隆功能的器件及制造方法。根据一个实施例，一种物理不可克隆功能器件包括晶体管对集合，晶体管对集合中的晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压；差分读取电路，被配置为测量晶体管对集合中的晶体管对的晶体管的有效阈值电压之间的阈值差，并且将其中所测量的阈值差小于裕度值的晶体管对标识为不可靠的晶体管对；以及写入电路，被配置为将不可靠的晶体管对的晶体管的有效阈值电压移位到共同随机分布内。
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公开(公告)号：CN110085273B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201910073190.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件。一种分裂栅极存储器单元包括状态晶体管和选择晶体管，状态晶体管拥有控制栅极和浮置栅极，选择晶体管拥有选择栅极。分裂栅极存储器单元通过在编程持续时间期间向控制栅极施加第一电压、向状态晶体管的漏极施加第二电压、以及向选择晶体管的选择栅极施加第三电压来被编程。第三电压在编程持续时间期间在第一值和第二值之间转换，该第二值大于第一值。
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公开(公告)号：CN111611627A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010108632.5
申请日：2020-02-21
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 本文描述了具有晶体管的物理不可克隆功能的器件及制造方法。根据一个实施例，一种物理不可克隆功能器件包括晶体管对集合，晶体管对集合中的晶体管具有属于共同随机分布的经随机分布的有效阈值电压；差分读取电路，被配置为测量晶体管对集合中的晶体管对的晶体管的有效阈值电压之间的阈值差，并且将其中所测量的阈值差小于裕度值的晶体管对标识为不可靠的晶体管对；以及写入电路，被配置为将不可靠的晶体管对的晶体管的有效阈值电压移位到共同随机分布内。
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公开(公告)号：CN110085273A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910073190.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件。一种分裂栅极存储器单元包括状态晶体管和选择晶体管，状态晶体管拥有控制栅极和浮置栅极，选择晶体管拥有选择栅极。分裂栅极存储器单元通过在编程持续时间期间向控制栅极施加第一电压、向状态晶体管的漏极施加第二电压、以及向选择晶体管的选择栅极施加第三电压来被编程。第三电压在编程持续时间期间在第一值和第二值之间转换，该第二值大于第一值。
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公开(公告)号：CN207396987U
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201621447145.7
申请日：2016-12-27
Applicant: 意法半导体(克洛尔2)公司 , 意法半导体(鲁塞)公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC: G04F13/00
CPC classification number: G01R31/028 , G01R31/2882 , G04F10/10
Abstract: 一种测试电路(19)，包括用于测量时间间隔的电荷保持电路级(1)，电荷保持电路级设置有：存储电容器(2)，连接在第一偏置端子(3a)与浮置节点(4)之间；以及放电元件(6)，连接在浮置节点(4)与参考端子(7)之间，用于通过穿过对应的电介质的泄漏对存储在存储电容器中的电荷放电。测试电路设想：偏置级(24)，用于将浮置节点偏置处于读取电压(VL)；检测级(30，32)，用于检测读取电压的偏置值(VL(t0))；以及积分器级(20)，具有耦合至浮置节点的测试电容器(28)，用于实现对放电元件中的放电电流(iL)与保持恒定处于偏置值的读取电压的积分运算，以及确定根据积分运算变化的放电元件的有效电阻值(RL')。
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