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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110726498A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911029430.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/16 , G01L5/167 , G01P15/09 , H01L41/113 , H01L41/25 , H01L41/27 , H01L41/332
Abstract: 压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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公开(公告)号：CN106092387B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510845771.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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公开(公告)号：CN110726498B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201911029430.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/16 , G01L5/167 , G01P15/09 , H01L41/113 , H01L41/25 , H01L41/27 , H01L41/332
Abstract: 压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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公开(公告)号：CN106092387A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510845771.5
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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公开(公告)号：CN205595376U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201520964345.9
申请日：2015-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01P15/09 , G01L1/16 , G01L5/167 , G01P15/0922 , G01P2015/0817 , H01L41/1132 , H01L41/25 , H01L41/27 , H01L41/332
Abstract: 一种压电传感器(10)，该压电传感器(10)形成在半导体材料芯片中，该半导体材料芯片具有限定平面(XY)的表面(13A)并且集成有用于感测在平面内作用的力的感测结构(11；30；60)。芯片由限定悬臂(12；32；52；62)的衬底(13；33)形成，该悬臂(12；32；52；62)具有被约束到衬底的锚固部(15)的第一端(12A)和在外力的作用下自由弯曲的第二端(12B)。悬臂具有第一和第二纵向半部，每个纵向半部承载平行于芯片平面延伸的压电材料的相应的条状元件(16，17)。
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