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公开(公告)号：CN106926582A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B41J2/1626 , B41J2/01 , B41J2/135 , B41J2/16 , B41J2/1607 , B41J2/161 , B41J2/162 , B41J2/1621 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , Y10T29/49401 , B33Y30/00 , B41J2/14
摘要： 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN109910435B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
摘要： 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN106926582B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610490773.1
申请日：2016-06-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN105562237B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
申请人： 意法半导体股份有限公司
摘要： 在此公开的实施例涉及一种微流体器件以及制造微流体器件的方法。微流体器件具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN105562237A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B05B9/03 , B05C5/001 , B81C1/00047 , B81C1/00349 , B81C1/00523 , B81C3/001 , B81C2201/0111 , B81C2201/013 , B81C2203/03
摘要： 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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公开(公告)号：CN109910435A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910116519.9
申请日：2016-06-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B41J2/01 , B41J2/14 , B41J2/16 , B29C64/106 , B29C64/209 , B33Y30/00
摘要： 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法，包括产生喷嘴板(8)的步骤，产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤：在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’；35”)；至少部分地在第一喷嘴空腔(35’；35”)中形成亲水层(42)；在亲水层上形成结构层(45)；蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48)；继续进行对结构层的蚀刻，以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分，以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通；以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
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公开(公告)号：CN205416751U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201520865018.8
申请日：2015-11-02
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643
摘要： 在此公开的实施例涉及一种微流体器件，该微流体器件包括：喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴；腔室本体，所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的半导体层；腔室，至少部分地形成在所述半导体层中并且由所述喷嘴板所覆盖，所述腔室与所述喷嘴流体连通；流体入口，包括穿过所述腔室本体并且与所述腔室流体连通的孔口。
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