微加速度传感器的芯片级封装结构及制作方法与划片方法

    公开(公告)号:CN109231153A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201810959206.5

    申请日:2018-08-22

    发明人: 徐婧 袁轶娟

    摘要: 本发明提供一种微加速度传感器的芯片级封装结构,包括盖板单晶硅圆片、微加速度传感器结构,微加速度传感器结构上的金属引线通过盖板单晶硅圆片的凸点转移到盖板单晶硅圆片上,盖板单晶硅圆片下部的空腔通过圆片对准键与所述微加速度传感器结构形成一个密封的真空腔体结构,本发明的有益效果在于:采用圆片级封装将微加速度传感器进行封装组合,可以大大提高器件封装效率,封装后器件的体积也可以大大减小,并且封装后器件可以通过贴片的方式与外围电路连接,不需要采用金属管壳,封装成本亦可大大降低;同时,由于在芯片分割前,进行了封装,这就保护了器件的敏感元件不受后续工艺的影响,提高了器件的成品率。

    共晶键合的方法及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN107902626A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711132891.6

    申请日:2017-11-15

    发明人: 王建鹏

    IPC分类号: B81C3/00

    CPC分类号: B81C3/001 B81C2203/036

    摘要: 本发明提供了一种共晶键合的方法及半导体器件的制造方法,在所述第一晶圆的表面形成介质层;刻蚀部分厚度的介质层以形成一凹槽,在所述凹槽内形成铝材料层;将所述第一晶圆和所述第二晶圆进行共晶键合,由于所述铝材料层在凹槽内,共晶键合后铝锗合金也被限制在所述凹槽内,所述凹槽的侧壁可以阻挡铝锗合金的流动,避免器件出现短路或其他故障,也不用考虑铝锗合金厚度变化对器件总高度的影响,这样铝锗键合工艺的窗口可以扩大,同时提升铝锗键合工艺的稳定性和产品的良率。

    一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法

    公开(公告)号:CN107840305A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201711111653.7

    申请日:2017-11-13

    IPC分类号: B81C3/00 B81C1/00 G04F5/14

    摘要: 本发明公开了一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法,利用槽型盖板与硅片形成一个密封腔体,使叠氮化钡BaN6和氯化铷RbCl反应生成的铷蒸汽与反应残渣分离,得到纯净的铷原子MEMS腔,提高了MEMS原子腔的透光性;通过对阳极键合机内的压强进行精确控制,使阳极键合机内的压强略高于MEMS腔体内压强,保证了在第二层硅-玻璃阳极键合的过程中铷蒸汽不会泄漏,既保证了MEMS腔体内的充铷量又防止铷原子对键合界面的污染,提高了阳极键合的强度,同时提升了MEMS原子腔的性能。通过采用本发明的制作方法,可以去除MEMS原子腔内的杂质,透光性好,并提高MEMS原子腔的成品率。

    一种基于SOI封装的六轴微惯性器件及其加工方法

    公开(公告)号:CN107015016A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710378413.7

    申请日:2017-05-25

    申请人: 东南大学

    摘要: 本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件,包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙;六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上;金属电极为一个以上,均匀设置在玻璃衬底一侧,金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接,SOI盖帽设在玻璃衬底正上方,SOI密封墙设在SOI盖帽和SOI密封墙之间,形成空腔结构;每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔,梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通;梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点,在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测,应用范围广,有着良好的市场前景。

    一种基于液晶弹性聚合物的干粘附功能结构及制造工艺

    公开(公告)号:CN106395729A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610887764.6

    申请日:2016-10-11

    IPC分类号: B81B3/00 B81C1/00 B81C3/00

    摘要: 一种基于液晶弹性聚合物的干粘附功能结构及制造工艺,功能结构包含两层结构,顶层为隆起状态的蘑菇状阵列结构,底层为高弹性模量聚合物的凹槽结构,制造工艺是先进行顶层蘑菇状阵列结构的制备,然后进行底层高弹性模量聚合物的凹槽结构,再把顶层蘑菇状阵列结构和底层高弹性模量聚合物的凹槽结构粘结在一起形成复合结构,最后进行顶层液晶弹性聚合物蘑菇状阵列结构电致动特性的激活,制造出隆起状态的液晶弹性聚合物的顶层蘑菇状阵列结构和底层高弹性模量聚合物凹槽结构复合的功能结构,基于液晶弹性聚合物的干粘附功能结构能够在保持蘑菇状阵列结构高粘附强度的前提下,实现干粘附功能结构在电场调控下的可控脱附与粘附。