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公开(公告)号：CN102815659A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105712288B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410724507.1
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2203/058 , B81C1/00603 , B81C2201/0109 , B81C2201/0111
Abstract: 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106754247A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611139705.7
申请日：2016-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: C12M1/00 , B81C1/00444 , B81C1/005 , B81C2201/0101 , B81C2201/0102 , B81C2201/0111
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，公开了一种托盘及其加工工艺，加工工艺包括以下步骤：绘制版图，版图上孔洞的尺寸与观测样本的尺寸相匹配；使用版图对石英基片进行曝光；对石英基片进行显影、定影处理；沉积金属铬；去除光刻胶以使与版图的孔洞对应部位的金属铬被剥离；以金属铬为掩模，在石英基片上刻蚀形成孔洞；去除石英基片上残余的金属铬。托盘采用石英基片构成，石英基片上设置有孔洞，孔洞的尺寸与观测样本的尺寸相匹配。本发明解决了现有技术中生物样品观测时使用多个或不同规格的样品载体，导致样品容易产生混淆且检测成本较高的问题。本发明达到了有效提高试验效率和针对性、降低检测成本的技术效果。
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公开(公告)号：CN102815659B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105895555A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610082140.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L21/67 , B81C1/00 , H01L21/268 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/6719 , B23K26/1224 , B23K37/047 , B81C1/00 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/786 , H01L21/67011 , B81C1/00277 , B81C2201/0111 , B81C2900/00 , H01L21/67098
Abstract: 一种用于加工衬底的设备(100)，所述设备具有：-至少一个真空腔室(10)，在所述至少一个真空腔室中能够调节限定的气压；-用于加热所述衬底的加热装置；以及-布置在所述真空腔室(10)之外的激光器装置(20)，其中，所述激光器装置(20)相对于所述衬底可运动，其中，借助所述激光器装置(20)能够通过熔化衬底材料封闭布置在所述真空腔室(10)中的衬底的至少一个空腔。
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公开(公告)号：CN105712288A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410724507.1
申请日：2014-12-02
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 荆二荣
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B3/0021 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81B2203/058 , B81C1/00603 , B81C2201/0109 , B81C2201/0111
Abstract: 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。
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公开(公告)号：CN105562237A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510736203.1
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B05B9/03 , B05C5/001 , B81C1/00047 , B81C1/00349 , B81C1/00523 , B81C3/001 , B81C2201/0111 , B81C2201/013 , B81C2203/03
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种具有主要为诸如硅之类的半导体的结构的微流体递送器件。特别地，用于递送流体的结构可以由多晶型硅(也称多晶硅)或者由外延硅形成。主要使用硅基材料以形成与所分配流体接触的结构的微流体递送器件得到与流体和应用的广泛集合兼容的器件。
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