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公开(公告)号：CN110838309A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910753946.8
申请日：2019-08-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于读出放大器的浮置升压预充电方案。一种感测结构包括：读出放大器核，其被配置为将测量电流与参考电流进行比较；共源共栅晶体管，其耦合到读出放大器核并且被配置为耦合到负载；开关，其耦合在共源共栅晶体管的偏置电压节点和控制端子之间；本地电容器，其具有耦合到共源共栅晶体管的控制端子的第一端子；第一晶体管，其耦合在本地电容器的第二端子和参考端子之间；以及控制电路，其耦合到第一晶体管的控制端子，该控制电路被配置为将本地电容器与参考端子断开以在共源共栅晶体管的控制端子中产生电压过冲，并且在将本地电容器与参考端子断开之后，通过调整第一晶体管的控制端子的电压来限制或减少电压过冲。
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公开(公告)号：CN210052530U
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201921324397.4
申请日：2019-08-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及感测结构和非易失性存储器。一种感测结构包括：读出放大器核，其被配置为将测量电流与参考电流进行比较；共源共栅晶体管，其耦合到读出放大器核并且被配置为耦合到负载；开关，其耦合在共源共栅晶体管的偏置电压节点和控制端子之间；本地电容器，其具有耦合到共源共栅晶体管的控制端子的第一端子；第一晶体管，其耦合在本地电容器的第二端子和参考端子之间；以及控制电路，其耦合到第一晶体管的控制端子，该控制电路被配置为将本地电容器与参考端子断开以在共源共栅晶体管的控制端子中产生电压过冲，并且在将本地电容器与参考端子断开之后，通过调整第一晶体管的控制端子的电压来限制或减少电压过冲。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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