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公开(公告)号：CN114664776A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111576916.8
申请日：2021-12-22
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本公开的实施例涉及高散热性封装电子器件及其制造工艺。封装的功率电子器件具有承载结构，该承载结构包括基底部分和横向于基底部分延伸的横向部分。管芯被结合到承载结构的基底部分并且具有第一主面上的第一端子和第二主面上的第二端子和第三端子。绝缘材料的封装件内嵌有半导体管芯、第二端子、第三端子并且至少部分地内嵌有运载基底。第一外连接区域、第二外连接区域和第三外连接区域分别被电气耦合到管芯的第一端子、第二端子和第三端子，该管芯被封装件侧面地围绕并且面对封装件的第二主表面。承载结构的横向部分从基底部分朝向封装件的第二主表面延伸，并且相对于管芯具有更高的高度。
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公开(公告)号：CN106486431A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610113344.2
申请日：2016-02-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/13 , H01L21/58
摘要： 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域导电路径(32)。(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一
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公开(公告)号：CN110246807A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910370869.8
申请日：2016-02-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492
摘要： 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号：CN110246807B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201910370869.8
申请日：2016-02-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492
摘要： 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号：CN106486431B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610113344.2
申请日：2016-02-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/13 , H01L21/58
摘要： 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号：CN205452265U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201620153579.X
申请日：2016-02-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367
摘要： 本公开涉及电子功率模块。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号：CN217719586U
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202123237900.2
申请日：2021-12-22
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本公开的实施例涉及电子器件。电子器件包括：支撑结构，包括基底部分和横向于基底部分延伸的横向部分；管芯，被耦合到支撑结构的基底部分的第一面；传导层，在基底部分的第二面上；第一端子、第二端子和第三端子，第一端子在管芯的第一主面上，并且第二端子和第三端子在管芯的第二主面上；一个或多个绝缘材料层，包围并且内嵌有管芯、第二端子、第三端子和基底部分；第一主表面，一个或多个绝缘材料层中的至少一层绝缘材料存在于第一主表面处；第二主表面，与第一主表面相对，一个或多个绝缘材料层中的至少一个绝缘材料层存在于第二主表面处。利用本公开的实施例有利地实现大的爬电距离和高散热性。
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