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公开(公告)号：CN105552039A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510609799.9
申请日：2015-09-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/12 , H01L23/043 , H01L21/58
Abstract: 本公开涉及具有改进电可接入性的封装结构的电子装置和制造方法，其中电子装置包括：半导体裸片，集成了电子部件；引线框架，容纳了半导体裸片；保护本体，横向围绕和在半导体裸片的顶部上，并且至少部分地围绕引线框架结构，限定了电子装置的顶表面、底表面和厚度；以及导电引线，电耦合至半导体裸片。导电引线以此方式建模以便延伸遍布保护本体的厚度以用于形成可从电子装置的顶表面联接的正面电接触，以及可从电子装置的底表面联接的背面电接触。
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公开(公告)号：CN110246807B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201910370869.8
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/053 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492
Abstract: 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号：CN106486431B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201610113344.2
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/13 , H01L21/58
Abstract: 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号：CN110379718B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN201910635591.2
申请日：2015-09-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本公开涉及具有改进电可接入性的封装结构的电子装置和制造方法，其中电子装置包括：半导体裸片，集成了电子部件；引线框架，容纳了半导体裸片；保护本体，横向围绕和在半导体裸片的顶部上，并且至少部分地围绕引线框架结构，限定了电子装置的顶表面、底表面和厚度；以及导电引线，电耦合至半导体裸片。导电引线以此方式建模以便延伸遍布保护本体的厚度以用于形成可从电子装置的顶表面联接的正面电接触，以及可从电子装置的底表面联接的背面电接触。
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公开(公告)号：CN116895649A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310337658.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本申请涉及包括多个功率晶体管的封装电子器件。一种电子器件包括至少第一分支和第二分支，每个分支包括彼此串联布置并且被形成在半导体材料的相应管芯中的第一晶体管和第二晶体管。管芯被夹在第一衬底元件和第二衬底元件之间。第一衬底元件和第二衬底元件分别由多层结构形成，多层结构包括第一导电层、第二导电层以及在第一导电层和第二导电层之间延伸的绝缘层。第一衬底元件和第二衬底元件的第一导电层面向电子器件的外侧，并且限定电子器件的第一主面和第二主面。第一衬底元件和第二衬底元件的第二导电层被成形为形成接触区域，接触区域面向多个管芯并且与多个管芯选择性地电接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246807A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910370869.8
申请日：2016-02-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/053 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492
Abstract: 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号：CN116896835A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310346622.9
申请日：2023-04-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及具有无引线框信号连接器的、特别是用于汽车应用的功率模块及其组装方法。功率模块被封装在容纳承载基板的壳体中，该承载基板形成导电材料的多个连接区域。电子部件被布置在壳体内部，被附接到多个连接区域中的一个连接区域。耦合电子部件的电连接器朝向壳体的主表面延伸并且可从壳体的外部接入。电连接器具有形成柱体的管状部分，该柱体被固定到从壳体的较大表面突出的销。壳体包括嵌入柱体并将其阻挡在其中的电绝缘材料的封装块。
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公开(公告)号：CN114302553A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111171089.4
申请日：2021-10-08
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及用于连接半导体裸片引脚的阻挡元件。提供用于连接电子、微机械和/或微电子机械部件的阻挡元件，尤其用于控制电动车辆的推进。引脚阻挡元件由具有第一端、第二端和轴向腔体的带孔主体形成，轴向腔体被配置成适配地容纳连接引脚。第一凸缘从第一端的带孔主体横向突出，第二凸缘从第二端的带孔主体横向突出。第一凸缘具有比第二凸缘更大的面积，并且配置为超声焊接到导电承载板以形成功率模块。
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公开(公告)号：CN113540008A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110410359.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 本公开涉及一种封装后的用于表面安装的可堆叠电子功率器件和电路装置。用于表面安装的功率器件具有引线框架，引线框架包括管芯附接支撑件以及至少一个第一引线和一个第二引线。半导体材料的管芯被键合到管芯附接支撑件，并且绝缘材料和平行六面体形状的封装件包围管芯并且至少部分地包围管芯附接支撑件并且具有封装件高度。第一引线和第二引线具有在封装件外部、从封装件的两个相对侧表面延伸的外部部分。引线的外部部分具有大于封装件高度的引线高度，贯穿封装件高度延伸并且具有从第一基部突出的相应部分。
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公开(公告)号：CN112310015A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010756491.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/495 , H01L25/07 , H01L21/60
Abstract: 本公开的实施例涉及封装的功率电子设备及其组装方法，该设备具有：第一支撑元件，形成第一热耗散表面并且承载第一功率部件；第二支撑元件，形成第二热耗散表面并且承载第二功率部件；第一接触元件，叠置到第一功率部件；第二接触元件，叠置到第二功率部件；多个引线，通过第一支撑元件和/或第二支撑元件与功率部件电耦合；以及热传导性的主体，布置在第一接触元件与第二接触元件之间。第一支撑元件和第二支撑元件以及第一接触元件和第二接触元件由电绝缘并且热传导性的多层形成。
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