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公开(公告)号：CN106253904B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201610634603.6
申请日：2016-08-04
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03M1/12
摘要： 本发明公开了一种流水线ADC系统中采样MOM电容的版图设计方法，包括：根据前级放大器和后级采样开关的高度确定MOM采样阵列的高度；根据所述MOM采样阵列的高度确定MOM电容的高度；选取MOM电容的金属层数目；设置MOM电容的电容值，选取MOM电容的电容参数；根据前级放大器和后级采样开关的位置来确定MOM电容的输入端和输出端的金属走向。公开了的MOM电容的电容参数、电容高度、输入端和输出端的金属走向等的确定方法，使得MOM电容在工艺误差梯度的范围内失配率最小,从而满足ADC采样数据输入端与电容公共端之间的寄生电容值相等。
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公开(公告)号：CN106067821B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201610572272.8
申请日：2016-07-20
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03M1/18
摘要： 本发明公开了一种高速缓冲器的保护电路及其实现方法，电路包括工作点建立检测电路、工作点保护电路、多电源上电检测电路、钳位电路、第一主电流通路开关、第二主电流通路开关，工作点建立检测电路，用于检测正常的工作点是否建立；工作点保护电路，用于在正常工作点建立之前，使MOSFET不会超出耐压范围；多电源上电检测电路，用于检测关联的多电源是否全部正常上电；多电源上电检测电路，用于检测多电源是否均完成上电。可以保证高速缓冲器在工作点建立完成之前以及多电源上电完成之前，其源随MOSFET管的各端口耐压不会超过耐压范围。
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公开(公告)号：CN106253862A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610634697.7
申请日：2016-08-04
申请人： 成都博思微科技有限公司
发明人： 谭昭禹
摘要： 本发明公开了一种高等效带宽和高增益线性度的放大电路，包括主放大器、第一辅助放大器和反馈电路；所述反馈电路的第一输入端接收输入信号，反馈电路的第二输入端接主放大器的输出端，反馈电路的输出端接主放大器的输入端；所述第一辅助放大器的输入端接主放大器的输入端；所述主放大器的输出和第一辅助放大器的输出之差作为放大电路的输出。本发明提供的放大电路在同等电流下增加了放大电路的等效带宽，降低了对主放大器的增益和增益偏移的要求，降低了对开环放大器的增益线性度的要求。
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公开(公告)号：CN106067804A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610631900.5
申请日：2016-08-04
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/017509
摘要： 本发明公开了一种时钟信号的电平位移幅度控制电路,包括MOS开关电路和工作电路，所述的工作电路包括一个或多个实现电平位移和幅度调整的负载驱动电路；所述MOS开关电路分别与每个负载驱动电路连接。本发明提供了一种时钟信号的电平位移幅度控制电路，将MOS管开关电路和驱动负载的工作电路进行分离，使得在实现电平位移的同时，也能够避免负载中等效电容对MOS管开关电路的影响，整个时钟信号的电平位移电路工作更加稳定，同时，本申请能够对位移后电平的幅度进行控制，使其处于零到最大值之间。
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公开(公告)号：CN106067805B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201610631926.X
申请日：2016-08-04
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0175
摘要： 本发明公开了一种时钟信号电平位移电路,包括MOS开关电路和工作电路，所述工作电路包括一个或多个实现电平位移的负载驱动电路，所述MOS开关电路分别与每个负载驱动电路连接，并且负载驱动电路所接负载的等效电容不会对MOS管开关电路产生影响。本发明提供了一种时钟信号电平位移电路，将MOS管开关电路和驱动负载的工作电路进行分离，使得在实现电平位移的同时，也能够避免负载中等效电容对MOS管开关电路的影响，整个时钟信号的电平位移电路工作更加稳定。
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公开(公告)号：CN106067804B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201610631900.5
申请日：2016-08-04
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0175
摘要： 本发明公开了一种时钟信号的电平位移幅度控制电路,包括MOS开关电路和工作电路，所述的工作电路包括一个或多个实现电平位移和幅度调整的负载驱动电路；所述MOS开关电路分别与每个负载驱动电路连接。本发明提供了一种时钟信号的电平位移幅度控制电路，将MOS管开关电路和驱动负载的工作电路进行分离，使得在实现电平位移的同时，也能够避免负载中等效电容对MOS管开关电路的影响，整个时钟信号的电平位移电路工作更加稳定，同时，本申请能够对位移后电平的幅度进行控制，使其处于零到最大值之间。
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公开(公告)号：CN106253904A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610634603.6
申请日：2016-08-04
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03M1/12
摘要： 本发明公开了一种流水线ADC系统中采样MOM电容的版图设计方法，包括：根据前级放大器和后级采样开关的高度确定MOM采样阵列的高度；根据所述MOM采样阵列的高度确定MOM电容的高度；选取MOM电容的金属层数目；设置MOM电容的电容值，选取MOM电容的电容参数；根据前级放大器和后级采样开关的位置来确定MOM电容的输入端和输出端的金属走向。公开了的MOM电容的电容参数、电容高度、输入端和输出端的金属走向等的确定方法，使得MOM电容在工艺误差梯度的范围内失配率最小,从而满足ADC采样数据输入端与电容公共端之间的寄生电容值相等。
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公开(公告)号：CN106067821A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610572272.8
申请日：2016-07-20
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03M1/18
CPC分类号： H03M1/181
摘要： 本发明公开了一种高速缓冲器的保护电路及其实现方法，电路包括工作点建立检测电路、工作点保护电路、多电源上电检测电路、钳位电路、第一主电流通路开关、第二主电流通路开关，工作点建立检测电路，用于检测正常的工作点是否建立；工作点保护电路，用于在正常工作点建立之前，使MOSFET不会超出耐压范围；多电源上电检测电路，用于检测关联的多电源是否全部正常上电；多电源上电检测电路，用于检测多电源是否均完成上电。可以保证高速缓冲器在工作点建立完成之前以及多电源上电完成之前，其源随MOSFET管的各端口耐压不会超过耐压范围。
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公开(公告)号：CN106067805A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610631926.X
申请日：2016-08-04
申请人： 成都博思微科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/017509
摘要： 本发明公开了一种时钟信号电平位移电路,包括MOS开关电路和工作电路，所述工作电路包括一个或多个实现电平位移的负载驱动电路，所述MOS开关电路分别与每个负载驱动电路连接，并且负载驱动电路所接负载的等效电容不会对MOS管开关电路产生影响。本发明提供了一种时钟信号电平位移电路，将MOS管开关电路和驱动负载的工作电路进行分离，使得在实现电平位移的同时，也能够避免负载中等效电容对MOS管开关电路的影响，整个时钟信号的电平位移电路工作更加稳定。
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