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公开(公告)号:CN102181826A
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN201110075427.4
申请日:2011-03-28
申请人: 扬州大学
IPC分类号: C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火,制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶;将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积,制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单,生产制造容易,可重复性性好,降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低,相对密度较高,电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(<10-4Ω·cm)和高的透光率(>90%),具有优良的电学和光学特性;同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN102181826B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110075427.4
申请日:2011-03-28
申请人: 扬州大学
IPC分类号: C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火,制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶;将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积,制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单,生产制造容易,可重复性性好,降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低,相对密度较高,电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(<10-4Ω·cm)和高的透光率(>90%),具有优良的电学和光学特性;同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN101204404A
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200710191466.4
申请日:2007-12-19
申请人: 扬州大学
摘要: 本发明涉及预防和治疗仔猪黄痢的受体阻断剂、制备及应用。本发明组合细菌染色体DNA大分子重组技术、病原菌受体和其粘附素结合和检测技术、粘附素受体封闭/阻断技术、粘附素操纵子体外表达技术的一种受体阻断剂,仔猪口服后能在肠道很快定植、定居、增殖,在肠道上皮细胞表面功能性展呈表达987P和K88粘附素,与仔猪肠道上皮细胞受体结合,从而封闭了肠道上皮细胞与987P和K88粘附素介导的ETEC病原菌的结合靶位点。解决了使用复合抗生素导致耐药性,导致动物胃肠道正常菌群紊乱,消化不良,机体抵抗力下降等缺陷。本发明优点在于阻止外界病原菌进入动物体内,直接封闭仔猪肠道上皮细胞表面受体靶位点与987P和K88粘附素介导的产肠毒素大肠杆菌病原菌的结合。
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